[发明专利]一种峰值检测单元及检测系统及检测方法在审
申请号: | 201911175147.3 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN110780108A | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 黄金星 | 申请(专利权)人: | 广东晟合技术有限公司 |
主分类号: | G01R19/04 | 分类号: | G01R19/04;G01R19/165;G01R31/26;G01R31/27 |
代理公司: | 44479 深圳大域知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陆华君 |
地址: | 526070 广东省肇庆市鼎湖区桂城新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 运算放大器 电连接 正输入端 峰值检测单元 二极管 负输入端 输出端口 输出端 电阻 检测 充放电电容 测试引脚 待测芯片 检测系统 快速判断 连接端口 输入端口 有效减少 接地 引脚 | ||
本发明涉及一种峰值检测单元及检测系统及检测方法,用于检测待测芯片中ESD二极管是否损坏。峰值检测单元包括的第一运算放大器A1的正输入端与输入端口P1电连接,第一运算放大器A1的负输入端与VSS端口P5电连接,第一运算放大器A1的输出端与引脚连接端口P3电连接;第二运算放大器A2的正输入端通过所述充放电电容C接地,该第二运算放大器A2的正输入端还与VDD端口P4电连接;第二运算放大器A2的负输入端以及第二运算放大器A2的输出端均与输出端口P2电连接,电阻R的一端与VSS端口P5电连接,电阻R另一端与输出端口P2电连接。本发明可以快速判断该测试引脚连接的两个二极管是否正常,有效减少检测时间。
技术领域
本发明涉及静电放电测试技术领域,尤其是一种峰值检测单元及检测系统及检测方法。
背景技术
所谓的静电放电(Electro-Static Discharge,ESD)是指具有不同静电位的物体互相靠近或直接接触引起的电荷转移。在芯片的使用的过程中,不可避免的会产生静电,例如,手持、或与设备摩擦。在这一过程中能引起静电放电,会产生上千伏的瞬时电压,造成静电击伤,破坏内部电路,使得芯片损坏。
常见的静电放电模式有,人体放电模式(HBM,Human Body Model),机器放电模式(MM,Machine Model)。为了避免静电击伤,在芯片的引脚位置,会加上ESD保护电路,如图1所示,其是以两个ESD二极管(ESD Diode)相互连接组成。目前,在对ESD二极管进行测试其是否损坏时,由于有的待测芯片的引脚太多,导致测试花费周期较长,并且由于同一引脚包含两个ESD二极管,需要进行两次测试操作,更加加大了时间成本。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:提供一种峰值检测单元及检测系统及检测方法,用于检测待测芯片中ESD二极管是否损坏,且检测方便快速,有效减少检测时间。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种峰值检测单元,用于检测待测芯片中ESD二极管是否损坏,特别的,所述峰值检测单元包括第一运算放大器A1、第二运算放大器A2、充放电电容C、电阻R以及输入端口P1、输出端口P2、引脚连接端口P3、VDD端口P4、VSS端口P5。
所述第一运算放大器A1的正输入端与输入端口P1电连接,第一运算放大器A1的负输入端与VSS端口P5电连接,第一运算放大器A1的输出端与引脚连接端口P3电连接;第二运算放大器A2的正输入端通过所述充放电电容C接地,同时该第二运算放大器A2的正输入端还与VDD端口P4电连接;第二运算放大器A2的负输入端以及第二运算放大器A2的输出端均与输出端口P2电连接,电阻R的一端与VSS端口P5电连接,电阻R另一端与输出端口P2电连接。
所述VDD端口P4用于与待测芯片的VDD引脚电连接,所述VSS端口P5用于与待测芯片的VSS引脚电连接,所述引脚连接端口P3用于与待测芯片的待测引脚电连接,所述输入端口P1用于接外部信号发生器,由外部信号发生器通过输入端口P1输入正弦电压,所述输出端口P2用于接判断单元,由判断单元判断输出波形是否正常。
优选的,所述的峰值检测单元的第一运算放大器A1、第二运算放大器A2、充放电电容C、电阻R均为可更换模块。
一种利用上述的峰值检测单元检测待测芯片中ESD二极管是否损坏的检测系统,包括:主控制模块与测试板模块。
所述主控制模块包含:数据处理单元、MCU控制器、判断单元和开关控制单元,所述测试板模块包含峰值检测单元、继电器单元、引脚接入设备;所述引脚接入设备用于接入待测芯片的各引脚。
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