[发明专利]一种阵列基板、OLED显示面板及其制备方法在审
申请号: | 201911174312.3 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN110943113A | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 夏晨 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;B82Y30/00 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何辉 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 oled 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本申请公开了一种阵列基板、OLED显示面板及其制备方法,通过在柔性基底上制备一层银纳米颗粒散射层,利用退火处理实现粒径的粗化处理,利用银纳米颗粒的表面等离子共振效应和光散射性能增加对被吸收光和反射光的提取,提高外量子的效率,从而提高OLED器件的发光效率。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、底发光型OLED显示面板及其制备方法。
背景技术
近年来,由于运用有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)制成的产品无需背光就可实现发光功能,减少了产品的功耗,外形更轻薄,且色彩与显示精度高,还具有广视角、响应快、可弯折等特点,所以OLED器件被广泛运用到手机、平板、电视等显示领域。
如图1所示为现有的一种OLED显示装置结构示意图,包括基底101、设于基底101上的薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor,TFT)电路层102,OLED发光层103,以及薄膜封装层104,还包括阳极、阴极等未示出部分。由于OLED器件通过载流子的注入和复合实现发光功能,发光效率的高低会对OLED器件的性能产生影响,所以发光效率也是评价OLED显示装置发光性能的主要参数之一。
为提高发光效率,对表示发光效率的内量子效率和外量子效率的研究也在不断深入。目前,对内量子效率的研究可以通过发光层中磷光和热激活延迟荧光材料的发展使得内量子效率理论上达到100%,而外量子效率受波导、衬底、表面等离子体等结构和材料的限制,使得外量子效率较内量子效率低很多,其中占主导地位的是反射光损失因此,如何降低光在器件内的反射损失,提高器件的外量子效率,提高OLED器件的发光效率,是提高OLED器件和OLED显示装置性能所要面临的问题。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板、OLED显示面板及其制备方法,能够增加对被吸收光和反射光的提取效率,从而增强外量子效率,以解决现有的OLED显示面板受波导、衬底等因素限制,导致外量子效率损失较大的技术问题。
本申请实施例提供一种阵列基板,包括柔性基底、制备于所述柔性基底侧的光提取层和TFT器件层;
所述光提取层包括:缓冲层、散射层以及平坦层。
其中,所述散射层位于所述缓冲层与所述平坦层之间,所述散射层通过表面等离子共振效应实现对被吸收光和反射光的提取,提高外量子效率。
在一些实施例中,所述散射层为银纳米颗粒层,通过蒸镀工艺制得;所述散射层经退火处理后,在所述缓冲层表面能量的修饰作用下,纳米颗粒发生聚集,粒径随之变大,大粒径的纳米颗粒较小粒径的纳米颗粒而言,大粒径纳米颗粒具有更高的散射效率。
在一些实施例中,所述缓冲层覆盖所述柔性基底,所述缓冲层采用涂布方式制得,材料为PEDOT:PSS(聚乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸),由于PEDOT:PSS的含硫基团可以与Ag原子形成络合键,可以起到固定Ag纳米颗粒的作用,同时有利于Ag纳米颗粒成核和生长。
在一些实施例中,所述平坦层位于所述缓冲层外侧,覆盖所述散射层,且在所述散射层颗粒间隙处与所述缓冲层相接触,所述平坦层可保证所述散射层上其他膜层的平整度,所述平坦层材料采用SU-8、聚酰亚胺(PI)等有机光阻,所述平坦层利用涂布工艺制得。
在一些实施例中,所述光提取层位于所述柔性基底与所述TFT器件层之间。
在一些实施例中,所述光提取层位于所述柔性基底远离所述TFT器件层的一侧。
本申请还提供一种OLED显示面板,包括:所述阵列基板,以及制备于所述阵列基板上的OLED器件、封装层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911174312.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的