[发明专利]一种阵列基板、OLED显示面板及其制备方法在审
| 申请号： | 201911174312.3 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN110943113A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 夏晨 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 何辉 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 oled 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：柔性基底、设置于所述柔性基底上的TFT器件层、以及设置于所述柔性基底一侧的光提取层；
所述光提取层包括：缓冲层、平坦层、以及位于所述缓冲层和所述平坦层之间的散射层；
其中，所述光提取层位于OLED器件发射光的传输路径上，所述散射层通过表面等离子共振效应实现对被吸收光和反射光的提取，提高OLED器件的发光效率。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光提取层位于所述柔性基底与所述TFT器件层之间。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光提取层位于所述柔性基底远离所述TFT器件层的一侧。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述散射层为银纳米颗粒层，所述平坦层的材料为PEDOT:PSS。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦层覆盖所述散射层，且在所述散射层颗粒间的间隙处与所述平坦层相接触。
6.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：如权利要求1～5所述阵列基板、位于所述阵列基板上的OLED器件、以及封装层。
7.根据权利要求6所述的OLED显示面板，其特征在于，所述OLED器件采用底发光型OLED器件，所述OLED器件位于所述TFT器件层远离所述光提取层的一侧。
8.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：在玻璃基板上制备一层柔性基底层；
S2：在所述柔性基底层上制备缓冲层；
S3：在所述缓冲层上制备散射层；
S4：对步骤S3所制得的结构进行低温退火处理，得到大粒径散射层；
S5：在所述散射层上制备平坦层；
S6：在所述平坦层制备所述TFT器件层，或在所述柔性基底远离所述光提取层的一侧制备所述TFT器件层。
9.根据权利要求8所述阵列基板制作方法，其特征在于，所述散射层采用低温退火处理工艺进行纳米颗粒粒径的粗化处理。
10.根据权利要求9所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述低温退火处理温度为120℃～180℃，时长为5～15分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
