[发明专利]PVD溅射设备的晶圆按指定路径回盘的控制方法及系统

说明书

本发明公开了一种PVD溅射设备的晶圆按指定路径回盘的控制方法和系统，其中控制方法包括以下步骤：选择源腔室和目的腔室，并选择源腔室的托盘位置和目的腔室的托盘位置；选择工艺配方，工艺配方包括目标晶圆从源腔室传输至目的腔室将要执行的工艺参数；确认开始传盘后，生成并执行第一个子任务，同时监控第一个子任务的状态；当第一个子任务结束时，生成并执行第二个子任务，直至第N个子任务结束，N为自然数，完成目标晶圆从源腔室到目的腔室的回盘操作。本发明的有益效果在于，将在工艺腔室中加工的晶圆从工艺腔室传送到冷却腔室再到装卸载腔室的传输过程，只需一键操作，减轻了操作人员的工作任务，提高了任务的执行效率。

技术领域

本发明涉及微电子技术领域，具体地，涉及一种PVD溅射设备的晶圆按指定路径回盘的控制方法及系统。

背景技术

物理气相沉积PVD是指在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。

溅射设备使用物理气象沉积法(PVD)在衬底上溅射薄膜，薄膜溅射在高温下进行，需要通过加热器将托盘上的晶圆预热到工艺温度。衬底在高温镀膜之后必须经过有效的冷却才可以从溅射设备取出。典型的溅射设备机台包含4个腔室，装卸载腔、传输腔、工艺腔和冷却腔。完整的镀膜制程包括以下流程，承载晶圆的托盘经过装载腔装载后经传输腔传输至工艺腔，工艺腔高温镀膜后经传输腔传输至冷却腔，冷却腔冷却后经传输腔传至装卸载腔卸载取出晶圆。如图1所示。冷却工艺的时间对于机台的产能有着重要的影响，当前对机台的冷却时间需求为6～10min。冷却后托盘的温度也有严格的要求，一般为60℃以下。

承载晶圆的托盘在工艺腔做高温镀膜工艺中出现异常终止后，在传盘到装卸载腔室之前要经过冷却腔冷却才可从冷却腔传回到装卸载腔室，操作设备的人员需要依次进行从工艺腔-冷却腔和冷却腔-装卸载腔两次手动传输操作，另外若操作人员误操作，系统不能及时反馈给操作人员，而是等待在准备传输时，系统才会报警。

因此，期待一种简易操作方式，减轻操作人员工作任务，减少误操作。

发明内容

本发明的目的是提出一种PVD溅射设备的晶圆按指定路径回盘的控制方法和系统，实现一键式操作，减轻操作人员工作任务，减少误操作。

为实现上述目的，本发明提出了一种PVD溅射设备的晶圆按指定路径回盘的控制方法，包括以下步骤：

选择源腔室和目的腔室，并选择源腔室的托盘位置和目的腔室的托盘位置；

选择工艺配方，所述工艺配方包括目标晶圆从所述源腔室传输至所述目的腔室将要执行的工艺参数；

确认开始传盘后，生成并执行第一个子任务，同时监控所述第一个子任务的状态；当所述第一个子任务结束时，生成并执行第二个子任务，直至第N个子任务结束，N为自然数，完成所述目标晶圆从所述源腔室到所述目的腔室的回盘操作。

可选地，选择工艺腔室为源腔室，选择装卸载腔室为目的腔室；

选择冷却配方作为工艺配方，所述冷却配方为所述目标晶圆在所述回盘操作所经冷却腔室将要执行的工艺参数。

可选地，所述第一个子任务包括：将目标晶圆从所述工艺腔室输送至所述冷却腔室；

所述第二个子任务包括：在所述冷却腔室中对所述目标晶圆进行冷却工艺操作；

所述第三个子任务包括：将目标晶圆从所述冷却腔室输送至所述装卸载腔室。

可选地，所述目标晶圆输送至所述冷却腔室之前还包括选择所述冷却腔室的托盘位置。

可选地，所述PVD溅射设备用于溅射氮化铝薄膜。

本发明还提出了一种PVD溅射设备的晶圆按指定路径回盘的系统，包括：