[发明专利]PVD溅射设备的晶圆按指定路径回盘的控制方法及系统有效
申请号: | 201911174232.8 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN110938807B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 陈玉静;杨洋;董博宇;郭冰亮;武学伟;马迎功;赵晨光;武树波;杨依龙;李新颖;李丽;宋玲彦;张璐;刘玉杰;张家昊 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C14/54 | 分类号: | C23C14/54;C23C14/34;H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人: | 孙向民;廉莉莉 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | pvd 溅射 设备 晶圆按 指定 路径 控制 方法 系统 | ||
1.一种PVD溅射设备的晶圆按指定路径回盘的控制方法,其特征在于,包括以下步骤:
选择源腔室和目的腔室,并选择源腔室的托盘位置和目的腔室的托盘位置;
选择工艺配方,所述工艺配方包括目标晶圆从所述源腔室传输至所述目的腔室将要执行的工艺参数;
确认开始传盘后,生成并执行第一个子任务,同时监控所述第一个子任务的状态;当所述第一个子任务结束时,生成并执行第二个子任务,直至第N个子任务结束,N为自然数,完成所述目标晶圆从所述源腔室到所述目的腔室的回盘操作;
选择工艺腔室为源腔室,选择装卸载腔室为目的腔室;
选择冷却配方作为工艺配方,所述冷却配方为所述目标晶圆在所述回盘操作所经冷却腔室将要执行的工艺参数;
所述第一个子任务包括:将目标晶圆从所述工艺腔室输送至所述冷却腔室;
所述第二个子任务包括:在所述冷却腔室中对所述目标晶圆进行冷却工艺操作;
第三个子任务包括:将目标晶圆从所述冷却腔室输送至所述装卸载腔室。
2.根据权利要求1所述的PVD溅射设备的晶圆按指定路径回盘的控制方法,其特征在于,所述目标晶圆输送至所述冷却腔室之前还包括选择所述冷却腔室的托盘位置。
3.根据权利要求1所述的PVD溅射设备的晶圆按指定路径回盘的控制方法,其特征在于,所述PVD溅射设备用于溅射氮化铝薄膜。
4.一种PVD溅射设备的晶圆按指定路径回盘的系统,其特征在于,包括:
信息馈入模块,操作者通过所述信息馈入模块输入任务信息;
任务生成模块,根据接收到的所述任务信息,依次生成多个子任务;
任务执行模块,依次执行所述任务生成模块生成的每一个子任务,完成相应的操作步骤;
监控模块,用于监控当前子任务的执行状态,并根据当前子任务的状态控制所述任务生成模块是否生成下一个子任务;
所述任务信息包括:选择源腔室、目标腔室、工艺配方;
所述系统包括:
工艺腔室,作为目标晶圆回盘过程中的所述源腔室;
装卸载腔室,作为所述目标晶圆回盘过程中的所述目标 腔室;
冷却腔室,所述目标晶圆从所述工艺腔室回盘至所述装卸载腔室过程中,在所述冷却腔室内执行所述工艺配方;
所述任务生成模块依次生成的子任务包括:
第一个子任务:将目标晶圆从所述工艺腔室输送至所述冷却腔室;
第二个子任务:在所述冷却腔室中对所述目标晶圆进行冷却工艺操作;
第三个子任务:将目标晶圆从所述冷却腔室输送至所述装卸载腔室。
5.根据权利要求4所述的PVD溅射设备的晶圆按指定路径回盘的系统,其特征在于,所述工艺腔室、所述冷却腔室、所述装卸载腔室中均设有托盘,所述任务信息还包括:选择工艺腔室托盘的位置、选择冷却腔室托盘的位置、选择装卸载腔室托盘的位置。
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