[发明专利]半导体器件

说明书

本公开的半导体器件包括错误校正电路和写入操作控制电路。所述错误校正电路根据在读取操作执行时所输出的读取数据中是否包含错误，从所述读取数据产生校正数据和错误标记。所述写入操作控制电路基于所述错误标记产生用于控制写入操作的写入控制信号。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年5月31日提交的第10-2019-0064549号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的全部内容通过引用合并于本文中。

技术领域

本公开的实施例涉及使用错误校正码执行写入操作的半导体器件。

背景技术

近来，已经将在每个时钟周期时间期间接收和输出四比特位数据或八比特位数据的DDR2方案或DDR3方案用来提高半导体器件的操作速度。如果半导体器件的数据传输速度变得更快，则在半导体器件中传输数据时发生错误的可能性增加。因此，已经提出了先进的设计方案以提高数据传输的可靠性。

每当在半导体器件中传输数据时，就可以产生能够检测错误发生的错误码并且与数据一起传输该错误码，以提高数据传输的可靠性。错误码可以包括能够检测错误的错误检测码(EDC)和能够自动校正错误的错误校正码(ECC)。

发明内容

根据本公开的一个实施例，一种半导体器件包括错误校正电路和写入操作控制电路。所述错误校正电路被配置成根据在读取操作执行时所输出的读取数据中是否包含错误，从所述读取数据产生校正数据和错误标记。所述写入操作控制电路被配置成基于所述错误标记产生用于控制写入操作的写入控制信号。当读取数据中不包含错误时，基于与接收焊盘数据的焊盘有关的信息以及与突发长度有关的信息来产生写入控制信号。

根据本公开的另一个实施例，一种半导体器件包括列解码电路、掩蔽控制电路和写入控制信号发生电路。列解码电路被配置成基于错误标记、比特位改变信号和突发改变信号从写入选通脉冲产生预解码信号。掩蔽控制电路被配置成基于错误标记和数据掩蔽信号从预解码信号产生解码信号。写入控制信号发生电路被配置成在写入操作执行的时段期间从解码信号产生写入控制信号。

附图说明

图1是例示根据本公开实施例的半导体器件的配置的框图。

图2是例示图1的半导体器件中包括的地址锁存电路的示例的框图。

图3是例示图2的地址锁存电路中包括的第一地址锁存器的示例的电路图。

图4是例示图1的半导体器件中包括的错误校正电路的示例的框图。

图5例示图4的错误校正电路中包含的错误标记发生电路的示例。

图6是例示图5所示的错误标记发生电路的操作的时序图。

图7是例示图1的半导体器件中包括的写入操作控制电路的示例的框图。

图8是例示图7的写入操作控制电路中包括的列解码电路的示例的框图。

图9是例示图8的列解码电路中包括的第一列解码器的示例的电路图。

图10是例示图8所示的列解码电路的操作的表。

图11是例示图7的写入操作控制电路中包括的掩蔽控制电路的示例的电路图。

图12是例示图11所示的掩蔽控制电路的操作的表。

图13是例示图7的写入操作控制电路中包括的写入控制信号发生电路的示例的电路图。

图14是例示图1的半导体器件中包括的写入数据发生电路的示例的框图。

图15至图18是例示在图1的半导体器件所包括的核心电路中执行的写入操作的示意图。