[发明专利]半导体器件在审
| 申请号: | 201911172319.1 | 申请日: | 2019-11-26 |
| 公开(公告)号: | CN112017703A | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
| 发明(设计)人: | 李在仁;金溶美 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;G11C29/42 |
| 代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 许伟群;周晓雨 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件,包括:
错误校正电路,其被配置成根据在读取操作执行时输出的读取数据中是否包含错误,从所述读取数据产生校正数据和错误标记;以及
写入操作控制电路,其被配置成基于所述错误标记来产生用于控制写入操作的写入控制信号,
其中,当所述读取数据中不包含错误时,基于接收焊盘数据的焊盘的数量和突发长度来产生所述写入控制信号。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述错误校正电路产生所述错误标记,其中,所述错误标记在所述读取数据中包含错误时被使能。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述错误校正电路被配置成:
当所述错误标记被使能时,校正所述读取数据中包含的错误以产生所述校正数据;以及
当所述错误标记被禁止时,输出所述读取数据作为所述校正数据。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述错误校正电路包括:
错误标记发生电路,其被配置成基于从所述读取数据产生的校正子信号来产生所述错误标记;以及
校正数据发生电路,其被配置成基于所述校正子信号而从所述读取数据产生所述校正数据。
5.根据权利要求4所述的半导体器件,其中,所述错误标记发生电路包括:
时段信号发生电路,其被配置成基于读取脉冲产生读取时段信号,并且被配置成基于写入脉冲产生写入时段信号;以及
错误标记输出电路,其被配置成根据所述读取时段信号和所述写入时段信号来输出基于所述校正子信号而产生的预标记作为所述错误标记。
6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述写入操作控制电路被配置成基于所述错误标记、比特位改变信号、突发改变信号和数据掩蔽信号而从写入选通脉冲产生所述写入控制信号。
7.根据权利要求6所述的半导体器件,
其中,所述比特位改变信号具有如下逻辑电平组合:所述逻辑电平组合用于在所述写入操作期间设置接收所述焊盘数据的所述焊盘的数量;
其中,所述突发改变信号具有如下逻辑电平组合:所述逻辑电平组合用于在所述写入操作期间设置所述突发长度;以及
其中,所述数据掩蔽信号具有如下逻辑电平组合:所述逻辑电平组合用于在所述写入操作期间选择阻止数据输入的焊盘。
8.根据权利要求6所述的半导体器件,其中,所述写入选通脉冲是从写入脉冲产生的,其中,所述写入脉冲是基于用于读取-修改-写入操作的控制命令而产生的。
9.根据权利要求6所述的半导体器件,其中,所述写入操作控制电路包括列解码电路,所述列解码电路被配置成基于所述错误标记、所述比特位改变信号和所述突发改变信号而从所述写入选通脉冲产生预解码信号。
10.根据权利要求9所述的半导体器件,
其中,所述写入选通脉冲包括多个写入选通脉冲;
其中,所述预解码信号包括多个预解码信号;以及
其中,所述列解码电路被配置成:当所述错误标记被使能时,从所述多个写入选通脉冲产生所述多个预解码信号,并且被配置成:当所述错误标记被禁止时,根据所述比特位改变信号和所述突发改变信号而从选自所述多个写入选通脉冲中的任何一个写入选通脉冲来产生所述多个预解码信号中的任何一个。
11.根据权利要求9所述的半导体器件,其中,所述写入操作控制电路还包括:掩蔽控制电路,所述掩蔽控制电路被配置成基于所述错误标记和所述数据掩蔽信号而从所述预解码信号产生解码信号。
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