[发明专利]光电转换设备、光电转换系统和移动装置

说明书

本发明涉及光电转换设备、光电转换系统和移动装置。一种光电转换设备包括第一半导体区域、第二半导体区域和第三半导体区域。第一半导体区域是第一导电类型，设在距第一面的深度为第一深度的位置处。第二半导体区域是第二导电类型，设在比第一深度深的第二深度处，与第一半导体区域接触，并且从第二面侧被施加第一电位。第三半导体区域是第二导电类型，从第一深度延伸到比第二深度浅的第三深度，并与第一半导体区域和第二半导体区域接触。第三半导体区域具有比第二半导体区域高的杂质浓度，并且被施加低于第一电位的第二电位。

技术领域

实施例的一个公开方面涉及光电转换设备、包括该光电转换设备的光电转换系统以及包括该光电转换设备的移动装置。

背景技术

已经研究了对诸如与红色的波长对应的可见光、近红外光、红外光等之类的具有长波长的光进行光电转换的光电转换设备。已知一种光电转换设备，在该光电转换设备中，设有光电转换单元的区域被形成在半导体基板的深区域中，从而提高了对具有长波长的光的光电转换效率。

日本专利申请特许公开No.2010-56345公开了一种光电转换设备，该光电转换设备可以通过形成每个像素的深度延伸的耗尽层来减少用于可见光的像素之间的串扰并提高对于红外光的灵敏度。

在日本专利申请特开No.2010-56345的配置中，由具有长波长的光在半导体基板的深区域中生成的信号电荷不会移动到用于收集信号电荷的区域，因此对于光的灵敏度降低。

发明内容

实施例的一个公开方面提供了对于光的灵敏度提高的光电转换设备。

鉴于上述问题做出了实施例，并且其一个方面是一种光电转换设备，该光电转换设备包括具有第一面和第二面的半导体基板。半导体基板包括至少一个第一半导体区域、第二半导体区域和第三半导体区域。第一半导体区域是第一导电类型，设在距第一面的深度为第一深度的位置处。第二半导体区域是第二导电类型，设在距第一面比第一深度深的第二深度处，与第一半导体区域接触，并且从第二面侧被施加有第一电位。第三半导体区域是第二导电类型，从第一深度延伸到比第二深度浅的第三深度，并且与第一半导体区域和第二半导体区域接触。第三半导体区域具有比第二半导体区域高的杂质浓度，并且被施加有第二电位。对于充当第一导电类型的半导体区域的载流子的电荷来说，第二电位是比第一电位低的电位。

从参考附图对示例性实施例的以下描述，本公开的其它特征将变得清楚。

附图说明

图1是示出了光电转换设备的配置的图。

图2是示出了像素的配置的图。

图3是像素的顶视图。

图4A和图4B是像素的截面图。

图5A、图5B和图5C是像素的截面图。

图6是像素的顶视图。

图7A和图7B是像素的截面图。

图8是像素的截面图。

图9是像素的截面图。

图10A是像素的顶视图，并且图10B是像素的截面图。

图11A是像素的顶视图，并且图11B是像素的截面图。

图12A是像素的顶视图，并且图12B是像素的截面图。

图13A是像素的顶视图，并且图13B、图13C和图13D是像素的截面图。

图14A是像素的顶视图，并且图14B是像素的截面图。

图15是像素的顶视图。

图16是像素的截面图。

图17是像素的截面图。