[发明专利]光电转换设备、光电转换系统和移动装置

权利要求书

1.一种光电转换设备，包括具有第一面和第二面的半导体基板，

其中，半导体基板包括

第一导电类型的至少一个第一半导体区域，设在距第一面的深度为第一深度的位置处，

第二导电类型的第二半导体区域，设在距第一面比第一深度深的第二深度处，与第一半导体区域接触，并从第二面侧被施加第一电位，以及

第二导电类型的第三半导体区域，从第一深度延伸到比第二深度浅的第三深度，并与第一半导体区域和第二半导体区域接触，其中，第三半导体区域具有比第二半导体区域高的杂质浓度，并且第三半导体区域被施加第二电位，对于充当第一导电类型的半导体区域的载流子的电荷，该第二电位是比第一电位低的电位。

2.如权利要求1所述的光电转换设备，

其中，半导体基板还包括在第一半导体区域的第一面侧的第二导电类型的第四半导体区域，并且

其中，第三半导体区域与第四半导体区域接触。

3.如权利要求1或2所述的光电转换设备，

其中，半导体基板包括在第一半导体区域的底部下方的第二导电类型的第五半导体区域，并且

其中，第五半导体区域具有比第二半导体区域高的杂质浓度。

4.如权利要求3所述的光电转换设备，其中，第五半导体区域与第三半导体区域接触。

5.如权利要求1或2所述的光电转换设备，

其中，半导体基板包括

第二导电类型的第六半导体区域，沿着第二面延伸，设在距第一面的深度比第二深度深的位置处并且具有比第二半导体区域高的杂质浓度，以及

第二导电类型的第七半导体区域，在深度方向上从第一面延伸，以便与第六半导体区域接触，并且

其中，通过将电位施加到第七半导体区域，第一电位经由第六半导体区域被施加到第二半导体区域。

6.如权利要求1或2所述的光电转换设备，还包括将第一电位施加到第二半导体区域的电极，

其中，所述电极被设置为沿着第二面延伸。

7.如权利要求6所述的光电转换设备，其中，半导体基板在电极和第二半导体区域之间包括第二导电类型的第八半导体区域，第八半导体区域具有比第二半导体区域高的杂质浓度。

8.如权利要求6所述的光电转换设备，

其中，光电转换设备被配置为使得光从第一面进入第一半导体区域，并且

其中，所述电极是反射已透过第一半导体区域和第二半导体区域的光的金属。

9.如权利要求6所述的光电转换设备，

其中，光电转换设备被配置为使得光从第二面进入第一半导体区域，并且

其中，所述电极是透明电极。

10.如权利要求9所述的光电转换设备，还包括抗反射膜，所述电极设在该抗反射膜与第二面之间。

11.如权利要求1或2所述的光电转换设备，还包括一个或多个微透镜，

其中，多个第一半导体区域被设置，并且

其中，所述多个第一半导体区域与所述一个或多个微透镜中的一个微透镜相关联地被设置。

12.如权利要求11所述的光电转换设备，其中，半导体基板还包括在所述多个第一半导体区域之间的第二导电类型的第九半导体区域。

13.如权利要求12所述的光电转换设备，其中，第九半导体区域设在从设有第一半导体区域的深度到第三深度的范围内。

14.如权利要求1或2所述的光电转换设备，其中，半导体基板还包括设在第三半导体区域内部的绝缘构件。