[发明专利]动态随机存取存储器结构

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器结构，其特征在于包含：

一电容组，包含一第一电容和一第二电容；以及

一第一晶体管，电连接于所述电容组，其中所述电容组还包含一个共用电极，所述第一电容和所述第二电容共享所述共用电极，所述共用电极垂直或几乎垂直于所述第一晶体管的主动区的延伸方向，以及所述第一晶体管的源极下方设置一隔离层。

2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器结构，其特征在于：所述动态随机存取存储器结构还包含一第二晶体管，所述第二晶体管电连接于所述电容组，所述电容组是形成于一半导体基底中的一凹槽内，以及所述电容组还包含：

所述隔离层，设置于所述凹槽的侧壁；

一第一电极和一第二电极，邻接所述隔离层；

一绝缘体，设置于所述第一电极和所述第二电极之间，其中所述共用电极被所述绝缘体包围；以及

二环型连接器，设置于所述隔离层上方。

3.如权利要求2所述的动态随机存取存储器结构，其特征在于：所述隔离层围绕于所述凹槽的所述侧壁以及所述凹槽的下表面上。

4.如权利要求2所述的动态随机存取存储器结构，其特征在于：所述二环型连接器中的一环型连接器邻接所述电容组的所述第一电极，以及所述二环型连接器中的另一环型连接器邻接所述电容组的所述第二电极。

5.如权利要求4所述的动态随机存取存储器结构，其特征在于：每一环型连接器的一上表面对齐所述半导体基底的上表面，以及所述第一电极的上表面或所述第二电极的上表面对齐所述半导体基底的上表面。

6.如权利要求4所述的动态随机存取存储器结构，其特征在于：所述第一晶体管和所述第二晶体管是鳍式晶体管，其中所述第一晶体管邻接所述环型连接器，以及所述第二晶体管邻接所述另一环型连接器。

7.如权利要求6所述的动态随机存取存储器结构，其特征在于：所述第一晶体管和所述第二晶体管邻接所述隔离层。

8.如权利要求2所述的动态随机存取存储器结构，其特征在于：所述第一电极并非沿着所述凹槽的下表面而设置于所述第二电极上方。

9.如权利要求2所述的动态随机存取存储器结构，其特征在于：所述共用电极并非沿着所述凹槽的下表面而设置于所述第一电极和所述第二电极上方。

10.如权利要求2所述的动态随机存取存储器结构，其特征在于：所述第一晶体管和所述第二晶体管是鳍式晶体管，以及所述第一晶体管或所述第二晶体管的源极的长度为零或是小于一预定值。

11.一种动态随机存取存储器结构，其特征在于包含：

一电容组，包含具有一第一电极的一第一电容和具有一第二电极的一第二电容；以及

一第一晶体管，电连接于所述电容组，其中所述电容组还包含一个共用电极，所述第一电容和所述第二电容共享所述共用电极，所述共用电极并非设置于所述第一电极和所述第二电极的上方或下方，以及所述第一晶体管的源极下方设置一隔离层。

12.如权利要求11所述的动态随机存取存储器结构，其特征在于：所述动态随机存取存储器结构还包含一第二晶体管，所述第二晶体管电连接于所述电容组，所述电容组是形成于一半导体基底的一凹槽内，以及所述电容组还包含：

所述隔离层，设置于所述凹槽的侧壁；

一绝缘体，设置于所述第一电极和所述第二电极之间，其中所述共用电极被所述绝缘体包围；以及

二环型连接器，设置于所述隔离层上方。

13.如权利要求12所述的动态随机存取存储器结构，其特征在于：所述隔离层设置于所述凹槽的所述侧壁以及所述凹槽的下表面。