[发明专利]显示面板的制备方法在审
申请号: | 201911167708.5 | 申请日: | 2019-11-25 |
公开(公告)号: | CN110931528A | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 胡泉;李松杉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何辉 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制备 方法 | ||
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供显示面板,所述显示面板包括衬底、薄膜晶体管、平坦化层、发光层和像素定义层,所述显示面板包括显示区和非显示区,所述非显示区包括异形切割区;
在所述像素定义层上形成氧化物层;
在所述氧化物层上形成光刻胶层;
在所述异形切割区对所述光刻胶层曝光显影形成第一光刻图案;
在对应光刻胶层的第一光刻图案的区域,对所述氧化物层刻蚀形成所述第二光刻图案,所述第一光刻图案与所述第二光刻图案相同,且所述第一光刻图案与所述第二光刻图案在衬底上的投影重合;
在对应光刻胶层的第一光刻图案的区域,对薄膜晶体管进行干刻形成第一图案;
在对应光刻胶层的第一光刻图案的区域,对衬底进行干刻形成第二图案;
剥离所述氧化物层和光刻胶层。
2.如权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述提供所述显示面板的步骤包括:
提供衬底;
在所述衬底上形成薄膜晶体管;
在所述薄膜晶体管上形成平坦化层,所述平坦化层在异形切割区形成有第一过孔;
在所述平坦化层上形成像素定义层;所述像素定义层在异形切割区形成有第二过孔,所述第一过孔在衬底上的投影位于所述第二过孔内;
在像素定义层定义出的像素区域内形成发光层。
3.如权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述在所述像素定义层上形成氧化物层的步骤包括:在所述像素定义层上沉积铟锌氧化物,所述铟锌氧化物覆盖在所述像素定义层、发光层、平坦化层和薄膜晶体管层上形成氧化物层,所述氧化物层与所述像素定义层、平坦化层和薄膜晶体管层的接触面呈阶梯状。
4.如权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述在所述异形切割区对所述光刻胶层曝光显影形成第一光刻图案的步骤包括:
定位第一过孔的位置;
在对应第一过孔的区域对光刻胶进行曝光显影,使得光刻胶形成第一光刻图案。
5.如权利要求4所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述在对应光刻胶层的第一光刻图案的区域,对所述氧化物层刻蚀形成所述第二光刻图案的步骤包括:
定位第一光刻图案的位置;
在对应第一光刻图案的区域,对氧化物层进行湿刻形成第二光刻图案。
6.如权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述对薄膜晶体管进行干刻形成第一图案的步骤包括:对薄膜晶体管中的无机膜层进行干刻形成第一图案,所述薄膜晶体管包括有源层、栅极层、无机膜层和源漏极层。
7.如权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述对薄膜晶体管中的无机膜层进行干刻形成第一图案的步骤包括:使用四氟化碳和氧气对无机膜层进行干刻形成第一图案。
8.如权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述对衬底进行干刻形成第二图案的步骤包括:对衬底中的第二柔性层进行干刻形成第二图案,所述衬底包括第一柔性层、无机层和第二柔性层。
9.如权利要求8所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述对衬底中的第二柔性层进行干刻形成第二图案的步骤包括:使用氧气对第二柔性层进行干刻形成第二图案。
10.如权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述剥离所述氧化物层和光刻胶层的步骤包括:
将光刻胶层剥离;
对氧化物层进行湿刻将氧化物层剥离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的