[发明专利]一种低透射镀锗太阳屏、热控组件及制备方法

说明书

本发明涉及一种低透射镀锗太阳屏、热控组件及制备方法，属于航天设备技术领域。该低透射镀锗太阳屏包括聚酰亚胺基膜，聚酰亚胺基膜的一侧先镀上锗层，再在另一侧镀上锗层。本发明的原理是采用真空磁控溅射镀膜技术，在聚酰亚胺的基膜的两面进行镀膜，获得具有一定热物理特性即太阳吸收比(α)、半球发射率(ε)、太阳透射率(τ)的低透射镀锗太阳屏，可用于卫星等航天器需要减少太阳照射的部位，有效的解决了卫星等航天器舱外部件受照后的温度控制问题。

技术领域

本发明涉及一种低透射镀锗太阳屏，属于航天设备技术领域。

背景技术

航天器的舱外部件在轨运行时受太阳光线照射会出现高温状态，而进入阴影区又会由于对环境辐射出现低温状态，这种长时交变的温度变化会对部件的性能和寿命产生不利影响，尤其是对一些高精度部件，较大的温差变化引起的热变形会严重影响部件的关键尺寸，对其功能产生致命影响。为了减少舱外部件的温差，需要采用合适的屏蔽材料来减弱太阳投射到部件上能量，而通常航天的舱外部件承担着信号传输和发射功能，因此要求屏蔽材料在能够减弱太阳光能量的同时还必须具备良好的电磁穿透性能，保证卫星舱外部件的长期安全稳定运行。

传统的太阳屏是单侧镀锗结构，即在聚酰亚胺基底的一侧镀上锗层。但由于其自身的太阳透射率较高，无法有效的控制舱外部件的温度，限制了其应用范围。传统的太阳屏为降低透射率需要增加镀锗层的厚度，增加锗层厚度将带来锗层均匀性差、锗层附着力差和电磁透射差损过大等问题。

为了解决传统太阳屏太阳透射率过高无法有效控制温度这一难题，目前采用的方法是将两层单侧镀锗膜叠加使用以降低总体太阳透射率，但会带来成本高、热控重量大、两层膜实施时服帖度差和接地困难等问题。

发明内容

本发明解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提出了一种低透射镀锗太阳屏，降低太阳透射率的同时，解决传统单侧镀锗太阳屏透射率过大无法满足热控需求的问题。

本发明的技术解决方案是：一种低透射镀锗太阳屏，该太阳屏包括由上到下依次设置的第一锗层、聚酰亚胺基膜、第二锗层。

所述太阳屏聚酰亚胺基膜厚度为25μm～100μm。

所述第一锗层、第二锗层厚度均小于6μm。

所述第一锗层、第二锗层通过磁控溅射方法镀在聚酰亚胺基膜表面。

上述低透射镀锗太阳屏的制备方法，该方法包括如下步骤：

(1)、对真空室进行清洗，将聚酰亚胺基底材料固定安装在真空室内；

(2)、对聚酰亚胺基底进行连续活化清洗，去除表面吸附的杂质气体；

(3)、控制镀膜辊的温度不低于10℃，采用磁控溅射方法在聚酰亚胺基底一面连续镀上锗层；

(4)、对聚酰亚胺基底的另一面进行第二步的活化清洗操作；

(5)、控制镀膜辊的温度不低于10℃，采用磁控溅射方法在聚酰亚胺基底另一面连续镀上锗层。

基于上述太阳屏的低透射镀锗热控组件，该组件包括低透射镀锗太阳屏、铜基胶带、第一接地线、第二接地线；

铜基胶带的一端粘贴在第一锗层表面，引出第一接地线，另一端绕过低透射镀锗太阳屏侧面边缘，粘贴在第二锗层表面，引出第二接地线，第一接地线与第二接地线汇成一根接地线5引至结构地。

上述低透射镀锗热控组件的制备方法包括如下步骤：

(1)、根据形状需求对低透射镀锗太阳屏进行裁剪取样；

(2)、裁剪铜基胶带，在铜表面焊接第一接地线和第二接地线；