[发明专利]一种低透射镀锗太阳屏、热控组件及制备方法

权利要求书

1.一种低透射镀锗太阳屏，其特征在于包括由上到下依次设置的第一锗层、聚酰亚胺基膜、第二锗层。

2.根据权利要求1所述的一种低透射镀锗太阳屏，其特征在于所述太阳屏聚酰亚胺基膜厚度为25μm～100μm。

3.根据权利要求1所述的一种低透射镀锗太阳屏，其特征在于所述第一锗层、第二锗层厚度均小于6μm。

4.根据权利要求1所述的一种低透射镀锗太阳屏，其特征在于所述第一锗层、第二锗层通过磁控溅射方法镀在聚酰亚胺基膜表面。

5.根据权利要求1所述的低透射镀锗太阳屏的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)、对真空室进行清洗，将聚酰亚胺基底材料固定安装在真空室内；

(2)、对聚酰亚胺基底进行连续活化清洗，去除表面吸附的杂质气体；

(3)、控制镀膜辊的温度不低于10℃，采用磁控溅射方法在聚酰亚胺基底一面连续镀上锗层；

(4)、对聚酰亚胺基底的另一面进行第二步的活化清洗操作；

(5)、控制镀膜辊的温度不低于10℃，采用磁控溅射方法在聚酰亚胺基底另一面连续镀上锗层。

6.基于权利要求1所述太阳屏的低透射镀锗热控组件，其特征在于包括权利要求1所述的低透射镀锗太阳屏、铜基胶带、第一接地线、第二接地线；

铜基胶带的一端粘贴在第一锗层表面，引出第一接地线，另一端绕过低透射镀锗太阳屏侧面边缘，粘贴在第二锗层表面，引出第二接地线，第一接地线与第二接地线汇成一根接地线5引至结构地。

7.根据权利要求6所述的低透射镀锗热控组件的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)、根据形状需求对低透射镀锗太阳屏进行裁剪取样；

(2)、裁剪铜基胶带，在铜表面焊接第一接地线和第二接地线；

(3)、在低透射镀锗太阳屏的边缘一侧粘贴铜基胶带，将铜基胶带折弯180°后粘贴在低透射镀锗太阳屏的另一面，确保第一接地线和第二接地线分别位于低透射镀锗太阳屏的两侧；

(4)、将铜基胶带的第一接地线和第二接地线焊接成一根接地线引至结构地。

8.根据权利要求1所述低透射镀锗太阳屏，其特征在于应用于航天器。

9.根据权利要求6所述热控组件，其特征在于应用于航天器。