[发明专利]PTAT电流源电路

说明书

本发明提供了一种PTAT电流源电路，包括：误差运放；第一晶体管，包括第一PN结，所述第一PN结的P型区域连接第一电流源和所述误差运放的反相端；第二晶体管，包括第二PN结，所述第二PN结的P型区域通过串联的电阻连接第二电流源和所述误差运放的同相端；其中，所述误差运放的输出端连接所述第一电流源、所述第二电流源和输出电流源，用以控制所述第一电流源、所述第二电流源和所述输出电流源，所述输出电流源的输出为所述PTAT电流源电路的输出。本发明电路简单有效，布版图的面积小，成本低，功耗小，极大的减小了误差运放的失调电压和面积。

技术领域

本发明涉及电子电路领域，具体地，涉及一种PTAT电流源电路。

背景技术

高精度，高一致性且高电源抑制比的偏置电路在许多高精度要求的电路中有需求，特别是在温度传感器，直接决定了传感器的一致性和精度。这种高一致性且高电源抑制比的电流源或者电压成为传感器性能的决定性因素。

专利文献CN 107992142A公开了一种模拟集成电路领域的高电源抑制比基准电流源，该基准电流源具有启动电路、基准单元和反馈电路，包括控制端、电源端、基准提供端和接地端，其控制端接收控制信号VCON，其电源端耦接至外部电源VCC，其基准提供端提供一与绝对温度成正比的PTAT(Proportional To Absolute Temperature)电流。其电路结构仍然较为复杂，一致性不能满足目前的需求。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种PTAT电流源电路。

根据本发明提供的一种PTAT电流源电路，包括：

误差运放；

第一晶体管，包括第一PN结，所述第一PN结的P型区域连接第一电流源和所述误差运放的反相端；

第二晶体管，包括第二PN结，所述第二PN结的P型区域通过串联的电阻连接第二电流源和所述误差运放的同相端；

其中，所述误差运放的输出端连接所述第一电流源、所述第二电流源和输出电流源，用以控制所述第一电流源、所述第二电流源和所述输出电流源，所述输出电流源的输出为所述PTAT电流源电路的输出。

优选地，所述第一电流源和所述第二电流源分别为由两个PMOS管串联形成共源共栅形结构的电流源。

优选地，还包括串联在第三电流源上的电阻R22和电阻R23，所述第三电流源为由两个PMOS管串联形成共源共栅形结构的电流源；

所述第一晶体管和所述第二晶体管均为三极管，所述第一晶体管和所述第二晶体管的基极连接在电阻R22和电阻R23之间。

优选地，所述误差运放包括：

三极管Q23，基极连接所述第一电流源；

三极管Q24，基极连接所述第二电流源；

NMOS管N23，漏极连接三极管Q23和三极管Q24的发射极。

优选地，所述误差运放还包括：

NMOS管N30，源极连接三极管Q23的集电极，漏极连接所述第一电流源和所述第二电流源；

NMOS管N31，源极连接三极管Q24的集电极，与NMOS管N30构成共源共栅的输入对管。

优选地，所述误差运放还包括：一对对称的共源共栅的负载管，分别连接在NMOS管N30和NMOS管N31的漏极。

优选地，所述对称的共源共栅的负载管包括：

共源共栅的PMOS管P28和PMOS管P30,PMOS管P30的漏极连接NMOS管N30的漏极；