[发明专利]PTAT电流源电路

权利要求书

1.一种PTAT电流源电路，其特征在于，包括：

误差运放；

第一晶体管，包括第一PN结，所述第一PN结的P型区域连接第一电流源和所述误差运放的反相端；

第二晶体管，包括第二PN结，所述第二PN结的P型区域通过串联的电阻连接第二电流源和所述误差运放的同相端；

其中，所述误差运放的输出端连接所述第一电流源、所述第二电流源和输出电流源，用以控制所述第一电流源、所述第二电流源和所述输出电流源，所述输出电流源的输出为所述PTAT电流源电路的输出；

所述第一电流源和所述第二电流源分别为由两个PMOS管串联形成共源共栅形结构的电流源；

还包括串联在第三电流源上的电阻R22和电阻R23，所述第三电流源为由两个PMOS管串联形成共源共栅形结构的电流源；

所述第一晶体管和所述第二晶体管均为三极管，所述第一晶体管和所述第二晶体管的基极连接在电阻R22和电阻R23之间；

所述误差运放包括：

三极管Q23，基极连接所述第一电流源；

三极管Q24，基极连接所述第二电流源；

NMOS管N23，漏极连接三极管Q23和三极管Q24的发射极；

所述误差运放还包括：

NMOS管N30，源极连接三极管Q23的集电极，漏极连接所述第一电流源和所述第二电流源；

NMOS管N31，源极连接三极管Q24的集电极，与NMOS管N30构成共源共栅的输入对管；

所述误差运放还包括：一对对称的共源共栅的负载管，分别连接在NMOS管N30和NMOS管N31的漏极；

所述对称的共源共栅的负载管包括：

共源共栅的PMOS管P28和PMOS管P30,PMOS管P30的漏极连接NMOS管N30的漏极；

共源共栅的PMOS管P29和PMOS管P31，PMOS管P31的漏极连接NMOS管N31的漏极；

NMOS管N31的漏极连接PMOS管P28和PMOS管P29的栅极；

NMOS管N30的漏极连接所述输出电流源，所述输出电流源为PMOS管P32和PMOS管P33串联形成共源共栅的输出电流源；

NMOS管N30的漏极连接PMOS管P32的栅极，PMOS管P33的漏极作为所述PTAT电流源电路的输出；

由PMOS管P25和PMOS管P26组成的第四电流源给接成二极管形式的NMOS管N21提供电流，该电流再镜像到NMOS管N22、NMOS管N23和NMOS管N24；

NMOS管N22提供的电流为接成二极管形式的PMOS管P27提供电流，形成Vgs供给所述第一电流源、所述第二电流源、所述第三电流源、所述第四电流源、PMOS管P30、PMOS管P31和PMOS管P33；

NMOS管N24的漏极连接三极管Q25的发射极，三极管Q25的集电极连接PMOS管P33的漏极，三极管Q25的集电极连接NMOS管N32的源极，NMOS管N32的漏极连接接成二极管形式的PMOS管P34的漏极，补偿消除PMOS管P32和PMOS管P33叠加的基极电流。

2.根据权利要求1所述的PTAT电流源电路，其特征在于，PMOS管P34为PMOS电流源P35提供镜像，PMOS电流源P35再为二极管形式的NMOS管N25提供电流，NMOS管N25和NMOS管N26形成镜像，电流源I21通过PMOS管P38和PMOS管P39镜像后与NMOS管N26的电流进行比较；

当启动完成后NMOS管N26的电流比PMOS管P39的电流更大，将拉低启动NMOS管N27和NMOS管N28的栅极电压从而切断启动电路；

当电路自启动前，NMOS管N26管的电流比PMOS管P39的电流更小，使得NMOS管N27和NMOS管N28的栅极为高，NMOS管N27和NMOS管N28导通从而拉低所述第一电流源、所述第二电流源、所述第三电流源、所述第四电流源、PMOS管P30、PMOS管P31和PMOS管P33的栅极电压驱动电路自启动。