[发明专利]共享对准层光罩的方法在审
申请号: | 201911164304.0 | 申请日: | 2019-11-25 |
公开(公告)号: | CN111045290A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 洪雪辉 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F9/00 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦健 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 共享 对准 层光罩 方法 | ||
本发明公开了一种共享对准层光罩的方法,所述对准层光罩中包含有光刻对准标记、光刻套刻测量标记以及其他关联的本层标记,将所述的光刻对准标记、光刻套刻测量标记以及其他关联的本层标记放置于最外围划片道内,确保内部划片道不包含对准层图形。本发明所述的共享对准层光罩的方法,操作简单,只需要定义好规则,即可以达到不同产品之间的对准层光罩共享,从而达到节约产品的光罩制作成本的目的;而对于版图工程师的排版指导也更加明确,只需要简单调整版图,即可达到节约成本的目的。
技术领域
本发明涉及半导体制造工艺中的光刻光罩(掩膜版)的设计,特别是指一种共享对准层光罩的方法。
背景技术
对于许多半导体工艺,由于其工艺特殊性,需要在完整的产品生产过程前,设计一块光罩用于后续的光刻机对准以及光刻站点之后的对准结果的监控,通常每一个流片的产品都需要一块单独的对准光罩。
这种对准光罩的主要特点:1)光罩本身不含有客户芯片的数据,即客户芯片区域是没有数据的;2)光罩内部划片道(槽)上会放置光刻机的对准标记,用于后续光刻工艺的光刻机对准;3)光罩最外围划片道上会放置套刻标记,用于测量后续光刻工程对对准层的套刻误差,并进行一定的规格控制,从而保证后续各个光刻工程之间的套刻误差在可以控制的规格之内,确保产品的最终良率。
使用原有的对准层光罩设计方法时,不同芯片尺寸的产品需要投入生产,都各自需要一张对准层光罩,以保证生产过程中的对准和套刻监控,成本较高。
传统方法对准层光罩的设计:由于内部划片道和外部划片道都含有对准层的图形,所以只要单个芯片的芯片尺寸不一致,就会造成所属光罩内部划片道的设计不一致,不同芯片尺寸的产品之间不能进行对准层光罩共享。
Frame:指半导体生产中使用的光罩的划片槽区域。
传统的Frame设计方法,以图1所示为例,假定设计最终曝光尺寸为21000*21000um,划片道宽度都为60um的两个产品A(芯片尺寸含划片道宽度为:5250*4200um)和B(芯片尺寸含划片道宽度:5250*2625um)时,由于内部划片道上有对准层光罩的图形,所以两个产品之间是无法共享对准层光罩的,如下示意图(1)所示,两个产品的外部套刻标记是可以完全重叠,内部对准标记,放置于纵向划片道内的结构,因为芯片的X方向尺寸相同,也可以做到完全重合;但是放置于横向划片道内的结构,则会因为芯片Y方向尺寸不同,不能实现结构重合的需求,所以不同的设计尺寸需要分别设计一块对准层光罩。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种共享对准层光罩的方法,实现不同芯片产品能共享对准层光罩以节约成本。
为解决上述问题,本发明所述的对准层光罩中包含有光刻对准标记、光刻套刻测量标记以及其他关联的本层标记,将所述的光刻对准标记、光刻套刻测量标记以及其他关联的本层标记放置于最外围划片道内,确保内部划片道不包含对准层图形。
进一步的改进是,所述的对准层光罩不包含客户的芯片数据。
进一步的改进是,将所述光刻对准标记、光刻套刻测量标记以及其他关联的本层标记放置于最外围划片道内,包含:
步骤一,定义光刻对准标记、光刻套刻测量标记以及其他关联的本层标记;
步骤二,将所需要的光刻套刻测量标记在对准层光罩上的图形按照固定的顺序排列好,作为一个单独的Frame设计单元;所述Frame是指半导体生产中使用的光罩的划片槽区域;
步骤三,将所需要的光刻对准标记,不同类型之间也按照固定顺序排列,作为一个单独的Frame设计单元;
步骤四,将对准层光罩上的上述的所有标记都放置在最外围划片道上。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备