[发明专利]共享对准层光罩的方法在审
申请号: | 201911164304.0 | 申请日: | 2019-11-25 |
公开(公告)号: | CN111045290A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 洪雪辉 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F9/00 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦健 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 共享 对准 层光罩 方法 | ||
1.一种共享对准层光罩的方法,其特征在于:所述的对准层光罩针对最终曝光尺寸一致的各种芯片产品,所述对准层光罩包含有光刻对准标记、光刻套刻测量标记以及其他关联的本层标记,将所述的光刻对准标记、光刻套刻测量标记以及其他关联的本层标记放置于最外围划片道内,确保内部划片道不包含对准层图形。
2.如权利要求1所述的共享对准层光罩的方法,其特征在于:所述的对准层光罩不包含客户的芯片数据。
3.如权利要求1所述的共享对准层光罩的方法,其特征在于:所述光刻对准标记用于后续光刻机的光刻工艺对准;所述光刻套刻测量标记用于测量后续光刻工程对对准层的套刻误差,并进行一定的规格控制。
4.如权利要求1所述的共享对准层光罩的方法,其特征在于:将所述光刻对准标记、光刻套刻测量标记以及其他关联的本层标记放置于最外围划片道内,包含:
步骤一,定义光刻对准标记、光刻套刻测量标记以及其他关联的本层标记;
步骤二,将所需要的光刻套刻测量标记在对准层光罩上的图形按照一定顺序排列好,作为一个单独的Frame设计单元;
所述Frame是指半导体生产中使用的光罩的划片槽区域;
步骤三,将所需要的光刻对准标记,不同类型之间也按照一定顺序排列,作为一个单独的Frame设计单元;
步骤四,将对准层光罩上的上述的所有标记都放置在最外围划片道上。
5.如权利要求4所述的共享对准层光罩的方法,其特征在于:所述步骤四中,在使用Frame设计工具时,设定各Frame单元的放置顺序,是将光刻套刻测量标记和光刻对准标记优先放置,确保曝光尺寸相同、芯片尺寸不同的各个产品之间,对准层光罩上的图形完全一致,并作为该尺寸的标准数据保留以作对比。
6.如权利要求5所述的共享对准层光罩的方法,其特征在于:将对准层光罩中所使用的所述各种标记做合并处理,确保各种标记的放置位置固定。
7.如权利要求4所述的共享对准层光罩的方法,其特征在于:还包括Frame最终检查步骤:每一个Frame产品设计完成后,都与该曝光尺寸下的数据做对比,如结果显示对准层所在的数据层次没有差异,则该产品可以共享标准的对准层光罩,达到节约光罩的目的。
8.如权利要求4所述的共享对准层光罩的方法,其特征在于:所述步骤二及步骤三中,将光刻套刻测量标记及光刻对准标记按一定顺序排列,是根据产品或工艺平台需求进行预先设定,由于光罩不需要客户数据,因此能固定放置顺序;这样选择同样工艺的产品,最终尺寸一致时即能达到共用所述对准层光罩的目的。
9.如权利要求1-7任一项所述的共享对准层光罩的方法,其特征在于:所述的对准层光罩是适用于最终曝光一致的产品,即使芯片尺寸不同,所得到的对准层图形也完全一致,实现不同芯片产品能共享对准层光罩。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备