[发明专利]显示器及其制备方法

说明书

本发明提供了一种显示器及其制备方法，所述制备方法包括：S10提供基板；S20形成第一电极层及像素定义层于所述基板上；S30形成量子点层，对应所述第一电极层，配置于所述像素定义层定义的凹槽中；S40形成缓冲层于所述像素定义层及所述量子点层上；S50溅镀形成氧化锌层于所述缓冲层上；以及S60形成第二电极层于所述氧化锌层上。

技术领域

本发明涉及一种显示器及其制备方法，尤其涉及一种量子点发光二极体显示器及其制备方法。

背景技术

氧化锌(ZnO)具有和量子点(quantum-dot,QD)匹配的导带能级和更高的载流子迁移率，是适用于量子点发光二极体(quantum-dot light-emitting diode,QLED)的最佳电子传输(electron transporting,HT)材料。一般ZnO薄膜都是通过溶液沉积的方式制备，且量产着重的方向在于开发适合喷墨打印(ink-jet printing,IJP)的ZnO墨水。但目前开发的ZnO墨水并不成熟，器件性能和打印性能无法兼顾，而且需要低温保存，稳定性较差，限制QLED的商业化。溅镀(sputter)虽然能沉积致密均一的ZnO薄膜，但通常需要高温热退火来提高ZnO薄膜性能，QDs层一般无法承受退火温度，同时，溅镀制程产生的高能粒子可能会破坏下面的QDs层，影响器件性能。

为了解决在实际喷墨打印的量子点发光二极体显示器中，以溅镀的方式形成氧化锌薄膜而对量子点层的破坏，亟需一种崭新的显示器及显示器的制备方法来解决上述问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种显示器及其制备方法，采用溅镀的方式取代喷墨打印(ink-jet printing,IJP)技术制备氧化锌薄膜，溅镀制程需要对工作压力、氧分压和薄膜厚度进行精确调控，才能得到高结晶度和导电性的氧化锌薄膜。本发明在所提供的量子点发光二极体显示器中，另增加了缓冲层，既能保护量子点层，又能调控载流子平衡，如此一来，避免了因溅镀氧化锌而对量子点层造成的破坏，可显着改善薄膜均一性，从而改善显示器亮度均一性和色度均匀性，提高器件性能。

据此，依据本发明的一实施例，本发明提供了一种显示器，包括；基板；量子点层配置于所述基板上；缓冲层配置于所述量子点层上；以及氧化锌层配置于所述缓冲层上。

在本发明的一实施例中，在所述基板与所述量子点层之间，所述显示器更包括：第一电极层及像素定义层，配置于所述基板上，其中所述像素定义层在所述基板上定义出凹槽，且所述第一电极层与所述像素定义层交错配置，以及所述量子点层对应所述第一电极层且配置于所述凹槽中。

在本发明的一实施例中，所述显示器更包括：第二电极层配置于所述氧化锌层上。

在本发明的一实施例中，所述缓冲层配置于所述像素定义层及所述量子点层上；所述氧化锌层配置于所述缓冲层上；以及所述第二电极层配置于所述氧化锌层上。

在本发明的一实施例中，所述缓冲层包括有机电子传输层材料，以及所述基板包括电晶体基板。

依据本发明的另一实施例，本发明提供了一种显示器的制备方法，包括：S10提供基板；S20形成第一电极层及像素定义层于所述基板上，其中所述像素定义层在所述基板上构成凹槽，且所述第一电极层与所述像素定义层交错配置；S30形成量子点层，对应所述第一电极层且配置于所述凹槽中；S40形成缓冲层于所述像素定义层及所述量子点层上；S50以溅镀方式形成氧化锌层于所述缓冲层上；以及S60形成第二电极层于所述氧化锌层上。

在本发明的一实施例中，步骤S20包括：S201形成第一电极层于所述基板上；S202对所述第一电极材料层进行图案化，以形成第一电极层；以及S203形成像素定义层于所述第一电极层之间，使所述第一电极层与所述像素定义层交错配置，且所述像素定义层在所述基板上构成凹槽。

在本发明的一实施例中，在步骤S30中，对应第一电极层，以打印的方式形成量子点层于所述凹槽中。