[发明专利]显示器及其制备方法在审
| 申请号: | 201911163923.8 | 申请日: | 2019-11-25 |
| 公开(公告)号: | CN111029475A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
| 发明(设计)人: | 张树仁 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示器 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示器,其特征在于,包括;
基板;
量子点层配置于所述基板上;
缓冲层配置于所述量子点层上;以及
氧化锌层配置于所述缓冲层上。
2.根据权利要求1所述的显示器,其特征在于,在所述基板与所述量子点层之间,所述显示器更包括:
第一电极层及像素定义层,配置于所述基板上,
其中所述像素定义层在所述基板上定义出凹槽,且所述第一电极层与所述像素定义层交错配置,以及
所述量子点层对应所述第一电极层且配置于所述凹槽中;以及所述显示器更包括:
第二电极层配置于所述氧化锌层上。
3.根据权利要求2所述的显示器,其特征在于,
所述缓冲层配置于所述像素定义层及所述量子点层上;
所述氧化锌层配置于所述缓冲层上;以及
所述第二电极层配置于所述氧化锌层上。
4.根据权利要求1所述的显示器,其特征在于,所述缓冲层包括有机电子传输层材料,以及所述基板包括电晶体基板。
5.一种显示器的制备方法,包括:
S10提供基板;
S20形成第一电极层及像素定义层于所述基板上,其中所述像素定义层在所述基板上构成凹槽,且所述第一电极层与所述像素定义层交错配置;
S30形成量子点层,对应所述第一电极层且配置于所述凹槽中;
S40形成缓冲层于所述像素定义层及所述量子点层上;
S50以溅镀方式形成氧化锌层于所述缓冲层上;以及
S60形成第二电极层于所述氧化锌层上。
6.根据权利要求5所述的显示器的制备方法,其特征在于,步骤S20包括:
S201形成第一电极材料层于所述基板上;
S202对所述第一电极材料层进行图案化,以形成第一电极层;以及
S203形成像素定义层于所述第一电极层之间,使所述第一电极层与所述像素定义层交错配置,且所述像素定义层在所述基板上构成凹槽。
7.根据权利要求5所述的显示器的制备方法,其特征在于,在步骤S30中,对应第一电极层,以打印的方式形成量子点层于所述凹槽中。
8.根据权利要求5所述的显示器的制备方法,其特征在于,
在步骤S40中,以蒸镀的方式,形成所述缓冲层于所述像素定义层及所述量子点层上;
在步骤S50中,以溅镀的方式,形成所述氧化锌层于所述缓冲层上;以及
在步骤S60中,以蒸镀的方式,形成所述第二电极层于所述氧化锌层上。
9.根据权利要求5所述的显示器的制备方法,其特征在于,在步骤S50中,以溅镀的方式,在氩气及氧气的环境下,形成所述氧化锌层于所述缓冲层上,其中溅镀环境的气压为0.1Pa至10Pa,所述氧气的分压占比为0.1%至10%的所述溅镀环境的气压,以及所述氧化锌层的厚度为5-50nm。
10.根据权利要求5所述的显示器的制备方法,其特征在于,所述缓冲层包括有机电子传输层材料,以及所述基板包括电晶体基板。
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