[发明专利]静电保护电路及阵列基板

说明书

本发明实施例提供一种静电保护电路及阵列基板，该电路包括：第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管；所述第一晶体管的栅端和源端均与第一信号线连接，漏端与所述第二晶体管的栅端和源端均连接；所述第二晶体管的漏端与第二信号线连接；所述第一信号线和所述第二信号线为相邻信号线；所述第三晶体管的源端和栅端均与所述第一晶体管的漏端连接，漏端与短路环线连接。通过第一晶体管和第三晶体管构成的两级器件向短路环线放电，以及第一晶体管和第二晶体管构成的两级器件向相邻信号线放电，能够提高耐压性，并且通过分别向相邻信号线和向短路环线，实现了两路同时放电，能够提高放电速度，从而提高静电防护的有效性。

技术领域

本发明实施例涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种静电保护电路及阵列基板。

背景技术

金属氧化物半导体IGZO相对于非晶硅半导体具较高的载流子迁移率μ_e以及较低的关态电流I_off与较短的响应时间T，基于金属氧化物半导体的优势，金属氧化物半导体在薄膜晶体管液晶显示面板(Thin film transistor liquid crystal display，TFT-LCD)中的应用越来越广泛。然而，金属氧化物半导体薄膜晶体管(TFT)的特性极易发生半导体失效金属化短路的问题，大尺寸面板面内较多设置TFT晶体管易受大电荷的残留发生静电击穿或金属化短路，从而引发显示面板的点线不良；同理，对于面板内的数据线和扫描线，由于长时间传输电信号也极易引发电荷的残留从而引起走线烧伤，或上下金属之间的击穿短路；因此，对于使用金属氧化物半导体的TFT-LCD面板来说，做好面板内TFT晶体管走线间的静电防护工作是尤为重要的。

现有技术中，氧化物半导体面板中的数据线和扫描线通常采用串联双向环形静电防护；即相邻的两根并列信号线之间通过单级串联双向TFT实现环形静电防护。

然而，上述静电防护电路的耐压特性偏低，大电流电荷容易引起TFT晶体管防护失效。

发明内容

本发明实施例提供一种静电保护电路及阵列基板，以提高静电保护电路的耐压性，解决大电流电荷容易引起TFT晶体管防护失效的问题。

第一方面，本发明实施例提供一种静电保护电路，包括：包括：第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管；

所述第一晶体管的栅端和源端均与第一信号线连接，漏端与所述第二晶体管的栅端和源端均连接；

所述第二晶体管的漏端与第二信号线连接；所述第一信号线和所述第二信号线为相邻信号线；

所述第三晶体管的源端和栅端均与所述第一晶体管的漏端连接，漏端与短路环线连接。

在一种可能的设计中，所述电路，还包括：第四晶体管；

所述第四晶体管的栅端和源端均与所述第一信号线连接，漏端与所述第一晶体管的漏端连接。

在一种可能的设计中，所述电路还包括所述第一信号线的延伸线，所述第四晶体管的栅端和源端均与所述第一信号线连接，包括：

所述第四晶体管的栅端和源端均通过所述第一信号线的延伸线与所述第一信号连接。

在一种可能的设计中，所述电路，还包括：第五晶体管和第六晶体管；

所述第五晶体管的栅端和源端均与所述第一信号线连接，漏端与所述第六晶体管的栅端连接；

所述第六晶体管的源端与所述第一信号线连接，漏端与所述短路环线连接。

在一种可能的设计中，所述电路还包括所述第一信号线的延伸线，所述第五晶体管的栅端和源端均与所述第一信号线连接，包括：

所述第五晶体管的栅端和源端均通过所述第一信号线的延伸线与所述第一信号线连接；

所述第六晶体管的源端与所述第一信号线连接，包括：