[发明专利]静电保护电路及阵列基板有效
| 申请号: | 201911162879.9 | 申请日: | 2019-11-25 |
| 公开(公告)号: | CN110854114B | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
| 发明(设计)人: | 陈岗 | 申请(专利权)人: | 成都中电熊猫显示科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 袁义科;刘芳 |
| 地址: | 610200 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 静电 保护 电路 阵列 | ||
1.一种静电保护电路,其特征在于,包括:第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管;
所述第一晶体管的栅端和源端均与第一信号线连接,漏端与所述第二晶体管的栅端和源端均连接;
所述第二晶体管的漏端与第二信号线连接;所述第一信号线和所述第二信号线为相邻信号线;
所述第三晶体管的源端和栅端均与所述第一晶体管的漏端连接,漏端与短路环线连接;
所述电路,还包括:第五晶体管和第六晶体管;
所述第五晶体管的栅端和源端均与所述第一信号线连接,漏端与所述第六晶体管的栅端连接;
所述第六晶体管的源端与所述第一信号线连接,漏端与所述短路环线连接。
2.根据权利要求1所述的静电保护电路,其特征在于,所述电路,还包括:第四晶体管;
所述第四晶体管的栅端和源端均与所述第一信号线连接,漏端与所述第一晶体管的漏端连接。
3.根据权利要求2所述的静电保护电路,其特征在于,所述电路还包括所述第一信号线的延伸线,所述第四晶体管的栅端和源端均与所述第一信号线连接,包括:
所述第四晶体管的栅端和源端均通过所述第一信号线的延伸线与所述第一信号连接。
4.根据权利要求1所述的静电保护电路,其特征在于,所述电路还包括所述第一信号线的延伸线,所述第五晶体管的栅端和源端均与所述第一信号线连接,包括:
所述第五晶体管的栅端和源端均通过所述第一信号线的延伸线与所述第一信号线连接;
所述第六晶体管的源端与所述第一信号线连接,包括:
所述第六晶体管的源端通过所述第一信号线的延伸线与所述第一信号线连接。
5.根据权利要求4所述的静电保护电路,其特征在于,所述电路还包括第二信号线的延伸线,所述第二晶体管的漏端与第二信号线连接,包括:
所述第二晶体管的漏端通过所述第二信号线的延伸线与所述第二信号线连接。
6.根据权利要求1至5任一项所述的静电保护电路,其特征在于,所述第一信号线为扫描线或数据线。
7.根据权利要求1至5任一项所述的静电保护电路,其特征在于,所述短路环线与公共存储线连接。
8.根据权利要求1至5任一项所述的静电保护电路,其特征在于,所述短路环线的材料为氧化铟锡ITO透明材料。
9.根据权利要求1至5任一项所述的静电保护电路,其特征在于,所述第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的宽长比均为20:5~60:15。
10.一种阵列基板,其特征在于,包括:数据线、扫描线、短路环线以及如权利要求1-9所述的静电保护电路。
11.根据权利要求10所述的阵列基板,其特征在于,
针对每条数据线,所述数据线的输入端通过第一静电保护电路与所述短路环线连接,结束端通过第二静电保护电路与所述短路环线连接;
针对每条扫描线,所述扫描线的输入端通过第三静电保护电路与所述短路环线 连接,结束端通过第四静电保护电路与所述短路环线连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





