[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法在审
申请号: | 201911157723.1 | 申请日: | 2019-11-22 |
公开(公告)号: | CN111211069A | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 稻富弘朗;枇杷聪;冈村聪 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法。谋求超临界干燥处理的効率化。本公开的基板处理装置为一种使用超临界状态的处理流体进行使基板干燥的干燥处理的基板处理装置,该基板处理装置具备处理容器和多个保持部。处理容器为进行干燥处理的容器。多个保持部在处理容器的内部分别保持不同的基板。
技术领域
本公开涉及基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
以往,作为抑制图案塌陷而且去除残留于基板的表面水分的技术,公知有使用在高压下得到的超临界流体使基板干燥的超临界干燥技术。
专利文献1:日本特开2011-009299号公报
发明内容
本公开提供一种谋求超临界干燥处理的効率化的技术。
本公开的一形态的基板处理装置为使用超临界状态的处理流体进行使基板干燥的干燥处理的基板处理装置,该基板处理装置具备处理容器和多个保持部。处理容器为进行干燥处理的容器。多个保持部在处理容器的内部分别保持不同的基板。
根据本公开,能够谋求超临界干燥处理的効率化。
附图说明
图1是从上方观察第1实施方式的基板处理系统的示意性的剖视图。
图2是表示在第1实施方式的基板处理系统中所执行的一系列的基板处理的步骤的流程图。
图3是表示液处理单元的结构例的图。
图4是表示第1实施方式的干燥单元的结构的示意剖视图。
图5是表示在处理容器的内部收纳多个晶圆的状态的一例的示意剖视图。
图6是表示处理空间的处理流体的流通路径的一例的示意剖视图。
图7是表示第2实施方式的干燥单元的结构的示意剖视图。
图8是表示第3实施方式的干燥单元的结构的示意剖视图。
图9是表示第4实施方式的干燥单元的结构的示意剖视图。
图10是表示第5实施方式的干燥单元的结构的示意剖视图。
图11是表示第6实施方式的干燥单元的结构的示意剖视图。
图12是表示第6实施方式的保持部的结构的示意俯视图。
图13是表示第7实施方式的干燥单元的结构的示意剖视图。
具体实施方式
以下,参照附图详细地说明用于实施本公开的基板处理装置以及基板处理方法的形态(以下,记载为“实施方式”)。另外,本公开的基板处理装置以及基板处理方法并不被该实施方式限定。此外,各实施方式在使处理内容不矛盾的范围内能够适当组合。此外,在以下的各实施方式中,对相同的部位标注相同的附图标记,重复的说明被省略。
(第1实施方式)
〔1.基板处理系统的结构〕
首先,参照图1对实施方式的基板处理系统的结构进行说明。图1是从上方观察第1实施方式的基板处理系统的示意性的剖视图。另外,以下,为了使位置关系明确,规定相互正交的X轴、Y轴以及Z轴,将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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