[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法在审
申请号: | 201911157723.1 | 申请日: | 2019-11-22 |
公开(公告)号: | CN111211069A | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 稻富弘朗;枇杷聪;冈村聪 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其使用超临界状态的处理流体进行使基板干燥的干燥处理,其中,该基板处理装置具备:
处理容器,其进行所述干燥处理;以及
多个保持部,其在所述处理容器的内部分别保持不同的所述基板。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述多个保持部在所述处理容器的内部在铅垂方向上隔开间隔地排列。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,
该基板处理装置还具备:
第1盖体,其能够对在所述处理容器的第1侧面设置的第1开口进行开闭;以及
第2盖体,其能够对在所述处理容器的第2侧面设置的第2开口进行开闭,
所述多个保持部中的一部分的所述保持部设于所述第1盖体,
所述多个保持部中的另一部分的所述保持部设于所述第2盖体。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,
在所述处理容器的内部,所述多个保持部的所述一部分的所述保持部和所述多个保持部的所述另一部分的所述保持部交错地排列。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,
所述第2侧面配置在所述处理容器所具有的多个侧面中的与所述第1侧面相对的位置。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置,其中,
所述第2侧面配置在所述处理容器所具有的多个侧面中的与所述第1侧面相对的位置。
7.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,
该基板处理装置还具备盖体,该盖体能够对在所述处理容器的侧面设置的开口进行开闭,
所述多个保持部设于所述盖体。
8.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,
该基板处理装置还具备盖体,该盖体能够对在上部开放的所述处理容器进行开闭,
所述多个保持部设于所述盖体。
9.根据权利要求2~8中任一项所述的基板处理装置,其中,
该基板处理装置还具备:
供给部,在所述处理容器的内部,该供给部配置于比在所述多个保持部中的最上层的所述保持部所保持的所述基板靠上方的位置,用于向所述处理容器的内部供给所述处理流体;以及
排出部,在所述处理容器的内部,该排出部配置于比在所述多个保持部中的最下层的所述保持部所保持的所述基板靠下方的位置,用于从所述处理容器的内部排出所述处理流体。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置,其中,
该基板处理装置还具备分隔板,在所述处理容器的内部,该分隔板配置于在铅垂方向上相邻的两个所述保持部之间。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置,其中,
在铅垂方向上相邻的两个所述保持部中的上层的保持部为所述多个保持部中的最上层的保持部,
所述分隔板配置于如下位置:在铅垂方向上相邻的两个所述保持部中的下层的保持部所保持的所述基板的上表面和所述分隔板的下表面之间的距离与在铅垂方向上相邻的两个所述保持部中的上层的保持部所保持的所述基板的上表面和所述处理容器的顶面之间的距离相同。
12.根据权利要求1~8中任一项所述的基板处理装置,其中,
该基板处理装置还具备多个供给部,该多个供给部在所述处理容器的内部沿着利用所述多个保持部保持着的多个所述基板中的所对应的所述基板的上表面供给所述处理流体。
13.根据权利要求1~8中任一项所述的基板处理装置,其中,
该基板处理装置还具备补充部,该补充部配置在与所述处理容器相邻的交接区域,用于向在上表面形成有液体的膜的所述基板的所述上表面补充所述液体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911157723.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造