[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)对其上具有焊盘的半导体芯片执行等离子体清洁；以及

(b)在步骤(a)之后，将导线与所述焊盘电连接，

其中在所述步骤(a)之后，所述焊盘的表面粗糙度等于或小于3.3纳米。

2.根据权利要求1所述的方法，其中通过调节所述步骤(a)中的所述等离子体清洁的条件来形成具有所述表面粗糙度的所述焊盘。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述等离子体清洁的所述条件是高频功率。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述等离子体清洁的所述条件是放电压力。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述等离子体清洁的所述条件是处理时间。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中所述焊盘以铝为主要成分构成，以及

其中所述导线以金为主要成分构成。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤(b)具有以下步骤(b1)-(b3)：

(b1)在所述导线的末端部分处形成球；

(b2)使得所述球与所述焊盘接触；以及

(b3)对所述球施加负荷和超声波振动。

8.根据权利要求7所述的方法，其中步骤(b3)具有以下步骤(b3-1)至(b3-5)：

(b3-1)对所述球施加第一输出功率的第一超声波振动和第一负荷；

(b3-2)在保持所述第一输出功率的同时增加所述第一负荷；

(b3-3)在增加所述第一负荷的同时，向所述球施加大于所述第一输出功率的第二输出功率的第二超声波振动；

(b3-4)在增加所述第一负荷的同时，将大于所述第一输出功率、且小于所述第二输出功率的第三输出功率的第三超声波振动施加到所述球；以及

(b3-5)在保持所述步骤(b3-4)中增加的所述第一负荷作为第二负荷的同时，进一步对所述球施加所述第三超声波振动。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述步骤(b3-5)的处理时间是所述步骤(b3)中的最长时间。

10.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)对其上具有焊盘的半导体芯片执行等离子体清洁；以及

(b)在所述步骤(a)之后，将导线与所述焊盘电连接，

其中在执行所述步骤(b)之前，在所述焊盘的表面上形成厚度等于或小于3.3纳米的氧化物膜。

11.根据权利要求10所述的方法，其中通过调节所述步骤(a)中的所述等离子体清洁的条件来形成具有所述厚度的氧化物膜。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述等离子体清洁的所述条件是高频功率。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述等离子体清洁的所述条件是放电压力。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述等离子体清洁的所述条件是处理时间。

15.根据权利要求10所述的方法，

其中所述焊盘以铝为主要成分构成，以及

其中所述导线以金为主要成分构成。

16.根据权利要求10所述的方法，其中所述步骤(b)具有以下步骤(b1)-(b3)：

(b1)在所述导线的末端部分形成球；

(b2)使得所述球与所述焊盘接触；以及

(b3)对所述球施加负荷和超声波振动。