[发明专利]一种适用于无片外电容型电压调节器的辅助电路有效
申请号: | 201911146983.9 | 申请日: | 2019-11-21 |
公开(公告)号: | CN110727308B | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 薛春;张伟 | 申请(专利权)人: | 华大半导体有限公司 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人: | 张东梅 |
地址: | 201210 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 外电 电压 调节器 辅助 电路 | ||
本发明公开了一种用于无片外电容型电压调节器的辅助电路,包括:第一上拉电流镜、第二上拉电流镜、第一下拉电流镜、第二下拉电流镜、电容器、转接管、电阻器以及放大器。该电路能够改善负载瞬态性能。
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域。具体而言,本发明涉及一种适用于无片外电容型电压调节器的辅助电路。
背景技术
在无片外电容的电压调节器中,负载瞬态性能主要靠电压调节器本身的带宽和片内电容来保证。由于芯片功耗要求和片内电容的限制,往往无法实现负载瞬态性能的指标要求。因此需要其他辅助电路来改进负载瞬态性能的指标要求。图1示出现有技术的一种无片外电容的电压调节器的示意图。如图1所示,该上电复位电路包括辅助电路110。该辅助电路110连接在误差放大器120的输出端Vo和电压调节器的输出端Vout之间。
图2示出现有技术的一种辅助电路的示意图。在图2所示的电路中,当I1=I2时,PMOS晶体管Mp的电流等于NMOS晶体管Mn的电流。
当负载由小电流快速变化到大电流时,输出电压Vout有一个向下的跳变,此跳变通过电容C1,C2耦合到第一NMOS晶体管Mn1和第一PMOS晶体管Mp1的栅极,引起第一PMOS晶体管Mp1中瞬时电流变大,第一NMOS晶体管Mn1电流变小,从而导致NMOS晶体管Mn电流变大,PMOS晶体管Mp电流变小,电压Vo向下变化,从而导致电压调节器的输出驱动MOS的栅源电压变大,从而提供更多的驱动电流来抑制Vout向下跳变的幅度。上述过程变化是优先于电压调节器的带宽响应的,因此有利于抑制Vout的瞬态向下跳变。
同理,当负载由大电流快速变化到小电流时,输出电压Vout有一个向上的跳变,也能通过上述电路的反馈机理抑制Vout的瞬态向上跳变。
然而,现有技术的辅助电路具有以下缺点:
1)需要通过两个电容进行跳变电压的耦合;
2)需要使用两个相等的电流源电路I1和I2;
3)由于Vout的跳变是通过电容耦合到第一PMOS晶体管Mp1和第一NMOS晶体管Mn1的栅极,且需各自通过一级电流镜拷贝才能实现最终Vo的相应变化,反应速度上会有一些损失。
因此,本领域需要对辅助电路进行改进,能够解决或改善上述一个或多个缺点。
发明内容
针对现有技术中的上电复位电路存在的问题,本发明的一个实施例提供一种用于无片外电容型电压调节器的辅助电路,包括:
第一上拉电流镜、第二上拉电流镜、第一下拉电流镜、第二下拉电流镜、电容器、转接管、电阻器以及放大器,
所述第一上拉电流镜包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管,第一PMOS晶体管的源极连接到电源VCC,漏极连接到第二节点,栅极连接到第一节点;第二PMOS晶体管的源极连接到电源VCC,漏极和栅极互连并连接到第一节点,第二节点与第一电压相连,
所述电容器的一端连接到第一节点,另一端连接到第三节点,第三节点与输出电压相连,
所述转接管为第五PMOS晶体管,第五PMOS晶体管的源极连接到第三节点,栅极连接到第四节点N4,
所述第二上拉电流镜包括第三PMOS晶体管和第四PMOS晶体管,第三PMOS晶体管的源极连接到放大器的输出端,栅极连接到第四节点;第四PMOS晶体管的源极连接到放大器的输出端,漏极和栅极互连并连接到第四节点,
放大器的同相输入端接收BGR信号,反相输入端与输出端相连,
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