[发明专利]一种适用于无片外电容型电压调节器的辅助电路有效

专利信息
申请号: 201911146983.9 申请日: 2019-11-21
公开(公告)号: CN110727308B 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 薛春;张伟 申请(专利权)人: 华大半导体有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 代理人: 张东梅
地址: 201210 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 适用于 外电 电压 调节器 辅助 电路
【权利要求书】:

1.一种用于无片外电容型电压调节器的辅助电路,包括:

第一上拉电流镜、第二上拉电流镜、第一下拉电流镜、第二下拉电流镜、电容器、转接管、电阻器以及放大器,

所述第一上拉电流镜包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管,第一PMOS晶体管的源极连接到电源VCC,漏极连接到第二节点,栅极连接到第一节点;第二PMOS晶体管的源极连接到电源VCC,漏极和栅极互连并连接到第一节点,第二节点与第一电压相连,

所述电容器的一端连接到第一节点,另一端连接到第三节点,第三节点与输出电压相连,

所述转接管为第五PMOS晶体管,第五PMOS晶体管的源极连接到第三节点,栅极连接到第四节点N4,

所述第二上拉电流镜包括第三PMOS晶体管和第四PMOS晶体管,第三PMOS晶体管的源极连接到放大器的输出端,栅极连接到第四节点;第四PMOS晶体管的源极连接到放大器的输出端,漏极和栅极互连并连接到第四节点,

放大器的同相输入端接收带隙基准BGR信号,反相输入端与输出端相连,

第一下拉电流镜包括第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管,第一NMOS晶体管的源极接地,漏极连接到第二节点,栅极连接到第五PMOS晶体管的漏极;第二NMOS晶体管的源极接地,漏极和栅极互连并连接到第五PMOS晶体管的漏极,

第二下拉电流镜包括第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管,第三NMOS晶体管的源极接地,漏极连接到第一节点,栅极连接到第三PMOS晶体管的漏极;第四NMOS晶体管的源极接地,漏极和栅极互连并连接到第三PMOS晶体管的漏极,

电阻器连接在第四节点和接地之间。

2.如权利要求1所述的用于无片外电容型电压调节器的辅助电路,其特征在于,所述带隙基准BGR信号通过放大器跟随输出产生一个电流,且将电流分别拷贝至的第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管。

3.如权利要求1所述的用于无片外电容型电压调节器的辅助电路,其特征在于,在稳态时,第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管中的电流相等。

4.如权利要求1所述的用于无片外电容型电压调节器的辅助电路,其特征在于,当负载由小电流快速变化到大电流时,输出电压有一个向下的跳变,所述辅助电路抑制输出电压的瞬态向下跳变。

5.如权利要求1所述的用于无片外电容型电压调节器的辅助电路,其特征在于,当负载由大电流快速变化到小电流时,输出电压有一个向上的跳变,所述辅助电路抑制输出电压的瞬态向上跳变。

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