[发明专利]一种三维扇出型封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种三维扇出型封装结构，包括：

第一芯片；

第二芯片，所述第二芯片与所述第一芯片背面相连；

一个或多个导电金属柱；

塑封层，所述塑封层包覆所述第一芯片、所述第二芯片和所述导电金属柱；

第一金属层，所述第一金属层电连接至所述第一芯片和/或所述一个或多个导电金属柱的下端；

第二金属层，所述第二金属层电连接至所述第二芯片和/或所述一个或多个导电金属柱的上端；

第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第二金属层的表面和间隙；

外接焊球，所述外接焊球电连接至所述第二金属层；以及

载片，所述载片包括第一介质层，所述第一金属层形成于所述载片的第一介质层表面。

2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一金属层实现对第一芯片引脚的扇出功能。

3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二金属层实现对第二芯片引脚的扇出功能。

4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一金属层和/或所述第二金属层和/或导电金属柱的材料为铜、铝、钨或其合金。

5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一介质层的材料为氧化硅或氮化硅，所述第二介质层的材料为树脂、P I、氧化硅或氮化硅。

6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述塑封层的材料为树脂材料。

7.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述载片的为单晶硅片。

8.一种三维扇出型封装结构的制造方法，包括：

在晶圆上覆盖第一介质层以形成载片；

在第一介质层表面形成第一金属层；

在第一金属层形成导电金属柱；

将芯片组贴片至导电金属柱之间的第一金属层的焊盘上；

形成塑封层；

在塑封层上形成第二金属层；

在第二金属层上形成第二介质层；

减薄载片晶圆背面至所需厚度；以及

形成外接焊球。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述芯片组由第一芯片和第二芯片使用胶膜贴合形成。