[发明专利]显示装置及其制造方法

说明书

提供了一种显示装置和制造所述显示装置的方法。所述显示装置包括半导体构件、第一栅电极、像素电极和公共电极。所述半导体构件包括源极区、漏极区以及在所述源极区和所述漏极区之间的沟道区。所述第一栅电极包括第一栅极阻挡层、第二栅极阻挡层和栅极金属层。所述第一栅极阻挡层与所述沟道区重叠。所述第一栅极阻挡层的氧化物材料与所述半导体构件的氧化物材料相同。所述第二栅极阻挡层包括金属氧化物合金，并且位于所述第一栅极阻挡层和所述栅极金属层之间。所述像素电极电连接到所述漏极区。所述公共电极与所述像素电极重叠。

技术领域

本技术领域涉及显示装置及该显示装置的制造方法。

背景技术

通常，薄膜晶体管(TFT)可以用作用于独立地控制显示装置中的像素的开关装置，显示装置例如是液晶显示装置(LCD)或有机发光显示(OLED)装置。包括薄膜晶体管的显示基板可以包括连接到薄膜晶体管的像素电极，并且还可以包括信号线，信号线例如是用于将栅极信号传输到薄膜晶体管的栅极线和用于将数据电压传输到薄膜晶体管的数据线。

薄膜晶体管可以包括栅电极、源电极、漏电极以及电连接到源电极和漏电极的有源层。有源层是确定晶体管特性的重要因素。

有源层可以包括硅(Si)。取决于晶体形式，硅(Si)可以是非晶硅或多晶硅。非晶硅具有相对简单的制造工艺，但是具有相对低的电荷迁移率。多晶硅具有相对高的电荷迁移率，但是需要结晶硅的工艺，这可能招致高的制造成本和复杂的处理。

发明内容

实施例可以涉及具有令人满意的可靠性的显示装置。

实施例可以涉及一种制造显示装置的有效方法。

根据实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：有源图案，所述有源图案设置在基板上并且包括氧化物半导体；晶体管，所述晶体管包括具有三层结构的栅电极，在所述三层结构中与所述有源图案上的沟道区重叠并且包括与所述有源图案相同的氧化物的第一栅极阻挡层、包括金属氧化物合金的第二栅极阻挡层、以及栅极金属层顺序堆叠；电连接到所述晶体管的像素电极；以及与所述像素电极相对的公共电极。

在实施例中，所述显示装置可以进一步包括与所述有源图案上的所述沟道区重叠并且设置在所述有源图案和所述第一栅极阻挡层之间的栅极绝缘图案。

在实施例中，所述有源图案和所述第一栅极阻挡层中的每一个可以包括铟镓锌氧化物(IGZO)。

在实施例中，所述第二栅极阻挡层可以包括氧化锌(ZnO_x)和氧化铟(InO_x)的合金。

在实施例中，所述第二栅极阻挡层的氧化锌(ZnO_x)和氧化铟(InO_x)的组成比可以为9:1。

在实施例中，所述第一栅极阻挡层可以具有大约200埃或更小的厚度。

在实施例中，所述第二栅极阻挡层可以具有大约200埃或更小的厚度。

在实施例中，所述显示装置可以进一步包括底栅电极，所述底栅电极设置在所述基板和所述有源图案之间并且与所述沟道区重叠。

在实施例中，所述显示装置可以进一步包括设置在所述像素电极和所述公共电极之间的有机发光层。

在实施例中，所述显示装置可以进一步包括：存储电容器，所述存储电容器包括第一存储电极和第二存储电极；和电连接到所述栅电极的栅极线，其中所述第一存储电极和所述栅极线可以具有三层结构，在所述三层结构中所述第一栅极阻挡层、包括所述金属氧化物合金的所述第二栅极阻挡层和所述栅极金属层顺序堆叠。