[发明专利]显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种显示装置，其中所述显示装置包括：

半导体构件，所述半导体构件包括源极区、漏极区以及在所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；

第一栅电极，所述第一栅电极包括第一栅极阻挡层、第二栅极阻挡层和栅极金属层，其中所述第一栅极阻挡层与所述沟道区重叠，其中所述第一栅极阻挡层的氧化物材料与所述半导体构件的氧化物材料相同，以及其中所述第二栅极阻挡层包括金属氧化物合金并且位于所述第一栅极阻挡层和所述栅极金属层之间；

电连接到所述漏极区的像素电极；以及

与所述像素电极重叠的公共电极。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述显示装置还包括：

栅极绝缘构件，与所述沟道区重叠并且被设置在所述半导体构件和所述第一栅极阻挡层之间。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述半导体构件和所述第一栅极阻挡层中的每一个包括铟镓锌氧化物。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第二栅极阻挡层包括氧化锌和氧化铟的合金。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述第二栅极阻挡层的所述氧化锌和所述氧化铟的组成比为9:1。

6.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述第一栅极阻挡层具有200埃或更小的厚度。

7.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述第二栅极阻挡层具有200埃或更小的厚度。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述显示装置还包括：

基板；和

第二栅电极，设置在所述基板和所述半导体构件之间并且与所述沟道区重叠。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述显示装置还包括：

设置在所述像素电极和所述公共电极之间的有机发光层。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述显示装置还包括：

存储电容器，所述存储电容器包括第一存储电极和第二存储电极；以及

电连接到所述第一栅电极的栅极线，

其中所述第一存储电极的三层结构和所述栅极线的三层结构各自与所述第一栅电极的三层结构相同。

11.一种制造显示装置的方法，其中所述方法包括：

在第一条件下形成氧化物半导体层；

部分去除所述氧化物半导体层以形成半导体构件；

在第二条件下形成第一栅极阻挡材料层，其中所述第一栅极阻挡材料层与所述半导体构件重叠，其中所述第一栅极阻挡材料层的氧化物材料与所述半导体构件的氧化物材料相同，并且其中所述第二条件的氧体积浓度高于所述第一条件的氧体积浓度；

在所述第一栅极阻挡材料层上形成第二栅极阻挡材料层，其中所述第二栅极阻挡材料层包括金属氧化物合金；

在所述第二栅极阻挡材料层上形成栅极金属材料层；

部分去除所述第一栅极阻挡材料层、所述第二栅极阻挡材料层和所述栅极金属材料层以形成第一栅电极，其中所述第一栅电极与所述半导体构件的沟道区重叠并且包括第一栅极阻挡层、第二栅极阻挡层和栅极金属层；

形成电连接到所述半导体构件的漏极区的像素电极；以及

形成与所述像素电极重叠的公共电极。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一条件的氧体积浓度小于40％。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二条件的氧体积浓度大于60％。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述方法还包括：

在所述半导体构件的沟道区和所述第一栅极阻挡层之间形成栅极绝缘构件。