[发明专利]一种多芯片集成内嵌式封装方法

说明书

本发明提供一种多芯片集成内嵌式封装方法，涉及芯片封装技术领域。该多芯片集成内嵌式封装方法，包括以下步骤：S1、将三颗不同的芯片按照尺寸和封装要求进行排列，按照焊盘面向外的方向进行组合；S2、对结构板进行两面导通钻孔、芯片置位铣槽加工，制得具有孔槽的结构板单体；S3、将结构板的一面贴承载胶带，将芯片组合按照设计方向进行排列放置。本发明，整板生产加工，线路通过曝光完成线路图形转移，蚀刻完成线路成型，不需要Wire Bonding逐个焊盘进行打线连接，节约了时间和生产成本，提高了生产效率，采用本发明方法封装的芯片载流性能及散热性能更好，可实现更高性能芯片的集成式封装。

技术领域

本发明涉及芯片封装技术领域，具体为一种多芯片集成内嵌式封装方法。

背景技术

芯片作为电路的控制及信号转换、传输的核心器件被广泛应用于电子信息行业，因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降，所以对芯片采用封装的方法进行保护和应用，另外封装后的芯片也更便于安装和运输。随着电子技术的快速发展，将含有不同功能的多颗芯片集成封装在一个结构体中成为一个发展方向。

目前被广泛应用于芯片封装领域的是Wire Bonding技术，使用金属丝(金线、铝线等)，利用热压或超声能源，完成微电子器件中固态电路内部互连接线的连接，即芯片与电路或引线框架之间的连接，但是Wire Bonding技术加工中，产品生产受打金属线效率限制，由于打线工序只能逐个焊盘进行生产，效率低，打线工艺成本高；另外芯片只能焊盘面向上进行排列，在进行多芯片集成封装时需要的封装尺寸大，难以适应电子产品小型化，轻薄化的市场需求。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种多芯片集成内嵌式封装方法，解决了现有技术中存在的缺陷与不足。

(二)技术方案

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种多芯片集成内嵌式封装方法，包括以下步骤：

S1、将三颗不同的芯片按照尺寸和封装要求进行排列，按照焊盘面向外的方向进行组合；

S2、对结构板进行两面导通钻孔、芯片置位铣槽加工，制得具有孔槽的结构板单体；

S3、将结构板的一面贴承载胶带，将芯片组合按照设计方向进行排列放置；

S4、对未贴承载胶带的一面整板压合柔性隔绝材料层1；

S5、将产品拼板整体翻转，除去承载胶带，并在该面整板压合柔性隔绝材料层2；

S6、将激光盲孔位置设计在芯片两面焊盘上，进行盲孔加工，其中两面导通孔位置进行两面激光盲孔，使产品整板上下两面导通，再沉积形成底层铜；

S7、对产品整板的两面压曝光干膜，完成之后进行两面线路曝光和显影处理；

S8、对产品进行整板镀铜形成两面线路，再进行干膜剥离处理和底层铜蚀刻；

S9、对产品两面整板压合柔性隔绝材料层3与柔性隔绝材料层4，其中柔性隔绝材料层3一面为芯片绝缘保护层，柔性隔绝材料层4一面为封装后芯片焊盘面，对柔性隔绝材料层4按照芯片封装的焊盘规格要求进行激光开窗处理；

S10、对激光开窗的位置进行二次镀铜处理，形成芯片封装焊盘，再进行表面处理后按照规格尺寸切割出芯片单体外形，即可完成多芯片集成内嵌式封装。

(三)有益效果

本发明提供了一种多芯片集成内嵌式封装方法。具备以下有益效果：

1、整板生产加工，线路通过曝光完成线路图形转移，蚀刻完成线路成型，不需要Wire Bonding逐个焊盘进行打线连接，节约了时间和生产成本，提高了生产效率。