[发明专利]一种多芯片集成内嵌式封装方法

权利要求书

1.一种多芯片集成内嵌式封装方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、将三颗不同的芯片按照尺寸和封装要求进行排列，按照焊盘面向外的方向进行组合；

S2、对结构板进行两面导通钻孔、芯片置位铣槽加工，制得具有孔槽的结构板单体；

S3、将结构板的一面贴承载胶带，将芯片组合按照设计方向进行排列放置；

S4、对未贴承载胶带的一面整板压合柔性隔绝材料层1；

S5、将产品拼板整体翻转，除去承载胶带，并在该面整板压合柔性隔绝材料层2；

S6、将激光盲孔位置设计在芯片两面焊盘上，进行盲孔加工，其中两面导通孔位置进行两面激光盲孔，使产品整板上下两面导通，再沉积形成底层铜；

S7、对产品整板的两面压曝光干膜，完成之后进行两面线路曝光和显影处理；

S8、对产品进行整板镀铜形成两面线路，再进行干膜剥离处理和底层铜蚀刻；

S9、对产品两面整板压合柔性隔绝材料层3与柔性隔绝材料层4，其中柔性隔绝材料层3一面为芯片绝缘保护层，柔性隔绝材料层4一面为封装后芯片焊盘面，对柔性隔绝材料层4按照芯片封装的焊盘规格要求进行激光开窗处理；

S10、对激光开窗的位置进行二次镀铜处理，形成芯片封装焊盘，再进行表面处理后按照规格尺寸切割出芯片单体外形，即可完成多芯片集成内嵌式封装。