[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

存储器电路，包括由SOTB晶体管构成的存储器单元；以及

模式指定电路，针对第一模式或第二模式切换所述存储器电路的操作模式，

其中所述存储器电路包括：

衬底偏置生成电路，向所述SOTB晶体管提供衬底偏置电压；以及

定时信号生成电路，生成用于所述存储器电路的读取操作或写入操作的定时信号，

其中在所述第二模式下，所述衬底偏置生成电路不向所述SOTB晶体管提供所述衬底偏置电压。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中在所述第一模式下，所述衬底偏置生成电路向所述SOTB晶体管供应所述衬底偏置电压。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述存储器电路在所述第一模式下以第一速度操作，并且在所述第二模式下以比所述第一速度更快的第二速度操作，以及

其中所述定时信号生成电路生成与所述操作模式相对应的不同定时信号。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中所述定时信号生成电路在所述第一模式下生成具有第一延迟级的第一定时信号，

其中所述定时信号生成电路在所述第二模式下生成具有第二延迟级的第二定时信号。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中向所述SOTB晶体管供应所述衬底偏置电压时的所述SOTB晶体管的阈值电压高于不向所述SOTB晶体管供应所述衬底偏置电压时的所述SOTB晶体管的阈值电压。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述定时信号生成电路包括选择器电路，所述选择器电路在所述第一模式下通过所述第一延迟级切换和输出所述第一定时信号，并且在所述第二模式下通过所述第二延迟级输出所述第二定时信号。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述存储器电路包括能够辅助所述存储器电路的写入操作的辅助电路，

其中所述辅助电路在所述第一模式下操作，以及

其中所述辅助电路不在所述第二模式下操作。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，

其中所述存储器电路包括被连接到所述存储器单元的一对位线，以及

其中所述辅助电路在所述写入操作期间将所述一对位线中的一个位线的电压从第一电压改变为低于所述第一电压的第二电压。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述存储器电路包括激活电路，所述激活电路用于在所述第一模式下激活所述辅助电路。

10.根据权利要求7所述的半导体器件，

其中所述存储器电路包括被连接到所述存储器单元的字线，以及

其中所述辅助电路在所述写入操作期间将所述字线的电压从第三电压改变为高于所述第三电压的第四电压。

11.根据权利要求1的半导体器件，

其中所述存储器电路包括调整电路，所述调整电路调整所述存储器电路的所述衬底偏置电压；以及

其中所述调整电路在所述第二模式下操作，并且不在所述第一模式下操作。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，

其中所述调整电路包括开关电路，所述开关电路被设置在接地布线和所述存储器单元之间；以及

其中所述开关电路在所述第二模式下被关断，并且在所述第一模式下被接通。

13.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述第一定时信号和所述第二定时信号是重启待机信号。