[发明专利]一种氮化铝粉体的纯化方法、该方法制得的氮化铝粉体及其应用在审
| 申请号： | 201911141996.7 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN110697665A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 韩耀;王华栋;吕毅;赵英民;张昊;张天翔 | 申请（专利权）人： | 航天特种材料及工艺技术研究所 |
| 主分类号： | C01B21/072 | 分类号： | C01B21/072 |
| 代理公司： | 11609 北京格允知识产权代理有限公司 | 代理人： | 谭辉 |
| 地址： | 100074 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化铝粉体 氮化铝陶瓷 烧结炉 碳杂质 大规模集成电路 二氧化碳气体 原料放入容器 氮化反应 电路基板 散热基片 烧结处理 有效促进 杂质气体 烧结 抽真空 高纯度 热导率 氧元素 出炉 基板 制备 应用 合成 引入 制造 | ||
1.一种氮化铝粉体的纯化方法，其特征在于，所述纯化方法包括如下步骤：
(1)将含有碳杂质的氮化铝粉体原料放入容器中，并容器置于烧结炉中，然后通过抽真空排出炉内杂质气体；
(2)向烧结炉中通入二氧化碳气体，然后进行烧结处理，从而获得所述氮化铝粉体。
2.根据权利要求1所述的纯化方法，其特征在于：
在步骤(1)中，所述容器为氮化硼坩埚或刚玉坩埚。
3.根据权利要求1或2所述的纯化方法，其特征在于：
所述烧结炉为管式烧结炉。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的纯化方法，其特征在于：
通入二氧化碳气体时的气体流量范围为100～400ml/min。
5.根据权利要求4所述的纯化方法，其特征在于：
通入二氧化碳气体时的气体流量范围为100～200ml/min。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的纯化方法，其特征在于：
所述烧结处理的烧结温度为700～1100℃；所述烧结处理的保温时间为1～6小时。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的纯化方法，其特征在于：
所述烧结处理的烧结温度为700～1000℃；所述烧结处理的保温时间为3～4小时。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的纯化方法，其特征在于：
所述含有碳杂质的氮化铝粉体原料为碳热还原工艺制备的氮化铝粉体原料；
优选的是，以含有碳杂质的氮化铝粉体原料的总重量计，所述含有碳杂质的氮化铝粉体原料的碳杂质含量不低于1重量％，优选不低于2重量％，进一步优选不低于3.5％，又进一步优选为3.5重量％至6.0重量％。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的氮化铝粉体；
优选的是，所述氮化铝粉体的含氧量为低于1.00重量％，更优选低于0.80重量％；
进一步优先的是，所述氮化铝粉体的碳杂质含量为低于0.50重量％，更优选为低于0.40重量％。
10.根据权利要求9所述的氮化铝粉体在氮化铝陶瓷制备中的应用；优选的是，所述氮化铝陶瓷用于制造散热基片和电路基板尤其是集成电路基板。
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