[发明专利]一种提高磁体矫顽力的方法和器件

权利要求书

1.一种提高磁体矫顽力的方法，其特征在于，包括：

提供扩散源，所述扩散源包括衬底以及依次设置在所述衬底一侧的第一扩散层和第二扩散层，其中，所述第二扩散层位于所述第一扩散层的表面，所述第一扩散层和所述第二扩散层均包含稀土元素，所述第一扩散层中的稀土元素浓度大于所述第二扩散层中的稀土元素浓度，所述第二扩散层保护所述第一扩散层，在高温退火过程中不被氧化污染，并提高退火扩散效率；

将所述衬底具有所述第一扩散层和所述第二扩散层的一侧与磁体贴合，所述磁体位于所述第二扩散层上，并进行高温退火，以使所述第一扩散层和所述第二扩散层中的稀土元素扩散到所述磁体中。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提供扩散源之前，还包括：

提供衬底；

在所述衬底的一侧表面沉积第一扩散层；

在所述第一扩散层的表面沉积第二扩散层；

其中，所述第一扩散层和所述第二扩散层均包含稀土元素，且所述第一扩散层中的稀土元素的浓度大于所述第二扩散层中的稀土元素的浓度。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述磁体为钕铁硼磁体；

所述第一扩散层的材料为稀土元素单质或化合物；

所述第二扩散层的材料为稀土元素化合物。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述稀土元素单质包括Tb和Dy单质；

所述稀土元素化合物包括稀土元素氢化物和稀土元素氟化物，所述稀土元素氢化物包括DyH₃和DyH₂，所述稀土元素氟化物包括NdF₃和DyF₃。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为石英玻璃；

所述第一扩散层和所述第二扩散层的总厚度在20μm～200μm范围内。

6.一种提高磁体矫顽力的器件，其特征在于，包括扩散源；

所述扩散源包括衬底以及依次设置在所述衬底一侧的第一扩散层和第二扩散层，其中，所述第二扩散层位于所述第一扩散层的表面，所述第一扩散层和所述第二扩散层均包含稀土元素，所述第一扩散层中的稀土元素浓度大于所述第二扩散层中的稀土元素浓度，所述第二扩散层保护所述第一扩散层，在高温退火过程中不被氧化污染，并提高退火扩散效率。

7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述第一扩散层的材料为稀土元素单质或化合物，所述第二扩散层的材料为稀土元素化合物。

8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述磁体为钕铁硼磁体；

所述稀土元素单质包括Tb和Dy单质；

所述稀土元素化合物包括稀土元素氢化物和稀土元素氟化物。

9.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，所述稀土元素氢化物包括DyH₃和DyH₂，所述稀土元素氟化物包括NdF₃和DyF₃。

10.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述衬底为石英玻璃；所述第一扩散层和所述第二扩散层的总厚度在20μm～200μm范围内。