[发明专利]一种半导体焊接方法

说明书

本发明提供了一种半导体焊接方法，所述方法包括以下步骤：(1)将待焊接的半导体固定；(2)将焊球置于半导体的焊接位置；(3)将原始激光束进行分束形成6～8束分束激光加热焊球进行焊接，其中，所述原始激光束的脉宽为80fs～100ns，所述原始激光束的直径为0.1μm～2μm，所述原始激光束的功率为0.5～1W。本发明的半导体焊接方法采用激光法进行焊接，采用了特定的原始激光束的脉宽、直径和功率，并且将原始激光束进行分束形成6～8束分束激光同时分别进行不同的部位焊接，焊接的有效率高，焊接的时间短，节约了时间成本和人力成本，降低了半导体加工的成本。

技术领域

本发明属于半导体制备技术领域，具体涉及一种半导体焊接方法。

背景技术

随着现代科技的发展，半导体器件在各行各业中上取得了广泛的应用，人们对半导体器件的可靠性提出了越来越高的要求，半导体的焊接失效往往是致命的，不可逆的，会造成一定的经济损失。现阶段半导体元件的焊接方法主要采用激光焊接法，激光焊接具有深度大，变形小的优点，可以在室温或特殊条件下进行焊接，通过控制激光脉冲的脉宽、能量、功率和波长等参数，发射聚焦后的单束高能量激光束，对加工件需要焊接的特定焊接部位进行辐射，使热量通过热传导向内部扩散，进行焊接，可焊接难以接近的部位，施行非接触远距离焊接，但现阶段的激光焊接技术也存在一定的缺陷，激光焊接的本质是采用高能量密度的激光束作为热源，初始激光束聚焦后的能量比较大，会造成焊缝高低不平，焊接成型差的缺陷，而且，焊接部位的数量直接决定了加工周期的长短，采用现阶段的激光焊接技术，耗时严重，操作繁杂，效率低下，会造成很大的人力成本，时间成本损失。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种半导体焊接方法。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种半导体焊接方法，所述方法包括以下步骤：

(1)将待焊接的半导体固定；

(2)将焊球置于半导体的焊接位置；

(3)将原始激光束进行分束形成6～8束分束激光加热焊球进行焊接，其中，所述原始激光束的脉宽为80fs～100ns，所述原始激光束的直径为0.1μm～2μm，所述原始激光束的功率为0.5～1W。

上述的半导体焊接方法采用激光法进行焊接，采用了特定的原始激光束的脉宽、直径和功率，并且将原始激光束进行分束形成6～8束分束激光同时分别进行不同的部位焊接，焊接的有效率高，焊接的时间短，节约了时间成本和人力成本，降低了半导体加工的成本。

优选地，所述步骤(3)中，分束激光加热焊球进行焊接的时间为90～300ms。

优选地，所述步骤(3)中，原始激光束的直径为1.1μm～2μm。

发明人经过研究发现，上述的半导体焊接方法的原始激光束的直径为1.1μm～2μm时，在同等焊接效果的情况下，缩短了焊接时间，节约了时间成本降低了半导体加工的成本。

优选地，所述步骤(3)中，原始激光束的功率为0.7～1W。

发明人经过研究发现，上述的半导体焊接方法的原始激光束的功率为0.7～1W时，在同等焊接效果的情况下，缩短了焊接时间，节约了时间成本降低了半导体加工的成本。

优选地，所述步骤(3)中，分束激光加热焊球进行焊接的时间为90～200ms。

优选地，所述步骤(3)中，原始激光束的功率为0.9～1W。

发明人经过研究发现，上述的半导体焊接方法的始激光束的功率为0.9～1W时，在同等焊接效果的情况下，缩短了焊接时间，节约了时间成本降低了半导体加工的成本。

优选地，所述步骤(3)中，分束激光加热焊球进行焊接的时间为90～100ms。