[发明专利]一种半导体焊接方法在审
申请号: | 201911139250.2 | 申请日: | 2019-11-20 |
公开(公告)号: | CN112823996A | 公开(公告)日: | 2021-05-21 |
发明(设计)人: | 郎鑫涛 | 申请(专利权)人: | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
主分类号: | B23K26/21 | 分类号: | B23K26/21;B23K26/067;H01L21/50;H01L21/60;B23K101/40 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫 |
地址: | 523087 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 焊接 方法 | ||
1.一种半导体焊接方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
(1)将待焊接的半导体固定;
(2)将焊球置于半导体的焊接位置;
(3)将原始激光束进行分束形成6~8束分束激光加热焊球进行焊接,其中,所述原始激光束的脉宽为80fs~100ns,所述原始激光束的直径为0.1μm~2μm,所述原始激光束的功率为0.5~1W。
2.根据权利要求1所述的半导体焊接方法,其特征在于,所述步骤(3)中,分束激光加热焊球进行焊接的时间为90~300ms。
3.根据权利要求1所述的半导体焊接方法,其特征在于,所述步骤(3)中,原始激光束的直径为1.1μm~2μm。
4.根据权利要求3所述的半导体焊接方法,其特征在于,所述步骤(3)中,原始激光束的功率为0.7~1W。
5.根据权利要求4所述的半导体焊接方法,其特征在于,所述步骤(3)中,分束激光加热焊球进行焊接的时间为90~200ms。
6.根据权利要求3所述的半导体焊接方法,其特征在于,所述步骤(3)中,原始激光束的功率为0.9~1W。
7.根据权利要求6所述的半导体焊接方法,其特征在于,所述步骤(3)中,分束激光加热焊球进行焊接的时间为90~100ms。
8.根据权利要求1-7任一所述的半导体焊接方法,其特征在于,所述原始激光束的波长为190~210nm。
9.根据权利要求8所述的半导体焊接方法,其特征在于,所述步骤(3)中,将原始激光束进行分束形成7束分束激光加热焊球进行焊接,所述原始激光束的波长为200nm。
10.根据权利要求1-7任一所述的半导体焊接方法,其特征在于,所述步骤(1)中,将待焊接的半导体固定的方法为:通过环氧树脂将半导体粘接在基座上固定。
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