[发明专利]操作存储器的方法及存储器

权利要求书

1.一种操作存储器的方法，其包括：

获得指示存储于所述存储器的对应于地址的多个存储器单元中的相应数据值的信息；

将额外数据编程到所述多个存储器单元；

确定在将所述额外数据编程到所述多个存储器单元时是否指示对所述存储器的功率损耗；及

如果指示对所述存储器的功率损耗，那么：

响应于指示存储于所述多个存储器单元中的所述相应数据值的所述信息而编程第一多个差分存储装置；

响应于所述地址而编程第二多个差分存储装置；及

将第三差分存储装置编程为具有特定值。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

其中编程所述第一多个差分存储装置中的差分存储装置包括：

响应于指示存储于所述多个存储器单元中的对应存储器单元中的所述相应数据值的相应数字的信息而选择性地编程所述差分存储装置的一对栅极连接的非易失性存储器单元中的一个存储器单元；

其中所述差分存储装置的所述对栅极连接的非易失性存储器单元中的所述一个存储器单元的阈值电压与所述差分存储装置的所述对栅极连接的非易失性存储器单元中的另一存储器单元的阈值电压的所得组合表示指示存储于所述多个存储器单元中的所述对应存储器单元中的所述相应数据值的所述数字的所述信息；其中编程所述第二多个差分存储装置中的差分存储装置包括：

响应于指示所述地址的对应数字的信息而选择性地编程所述差分存储装置的一对栅极连接的非易失性存储器单元中的一个存储器单元；

其中所述差分存储装置的所述对栅极连接的非易失性存储器单元中的所述一个存储器单元的阈值电压与所述差分存储装置的所述对栅极连接的非易失性存储器单元中的另一存储器单元的阈值电压的所得组合表示指示所述地址的所述对应数字的所述信息；且

其中编程所述第三差分存储装置包括：

编程所述第三差分存储装置的一对栅极连接的非易失性存储器单元中的一个存储器单元；

其中所述第三差分存储装置的所述对栅极连接的非易失性存储器单元中的所述一个存储器单元的阈值电压与所述第三差分存储装置的所述对栅极连接的非易失性存储器单元中的另一存储器单元的阈值电压的所得组合表示所述特定值。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

如果指示对所述存储器的功率损耗，那么：

响应于指示用于所述多个存储器单元的所述额外数据的相应数据值的信息而编程第四多个差分存储装置。

4.根据权利要求1所述的方法，其中编程特定差分存储装置包括编程所述特定差分存储装置的一对栅极连接的非易失性存储器单元中的一个存储器单元，其中所述特定差分存储装置选自由所述第一多个差分存储装置中的差分存储装置、所述第二多个差分存储装置中的差分存储装置及所述第三差分存储装置组成的群组，且其中编程所述对栅极连接的非易失性存储器单元中的所述一个存储器单元包括：

将第一电压电平施加到所述对栅极连接的非易失性存储器单元中的所述一个存储器单元的第一源极/漏极且施加到所述对栅极连接的非易失性存储器单元中的另一存储器单元的第一源极/漏极；

将高于所述第一电压电平的第二电压电平施加到所述对栅极连接的非易失性存储器单元中的所述一个存储器单元的栅极且施加到所述对栅极连接的非易失性存储器单元中的所述另一存储器单元的栅极；

将高于所述第一电压电平且低于所述第二电压电平的第三电压电平施加到所述对栅极连接的非易失性存储器单元中的所述一个存储器单元的第二源极/漏极；及

将所述第一电压电平施加到所述对栅极连接的非易失性存储器单元中的所述另一存储器单元的第二源极/漏极。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一电压电平、所述第二电压电平及所述第三电压电平的组合经选择以致使电荷在所述一个存储器单元的编程期间积累在所述一个存储器单元的数据存储结构中。