[发明专利]半导体处理设备

说明书

本公开提供了一种半导体处理设备。半导体处理设备包括具有内部空间的腔室主体；设置在内部空间中的基板支撑台座；气体出口构件，其位于内部空间内的基板支撑台座上方，具有多个分配喷嘴；及气体引导装置，位于气体出口构件和基板支撑台座之间。所述气体引导装置包括多个瓣元件，所述瓣元件可枢转地围绕所述气体出口构件的分配喷嘴布置并且彼此周向重叠，并被配置来动态地调节在基板支撑台座上的输出气体分布。

技术领域

本公开涉及一种用于半导体处理设备，更具体地，涉及一种气体出口构件 的半导体处理设备。

背景技术

现代集成电路(IC)被设计为包含高特征密度，可以包括数百万个组件， 例如晶体管，电容器，电阻器等。对于更大的电路密度的需求要求减小集成电 路组件的尺寸(或特征尺寸)。最小尺寸通常称为临界尺寸(critical dimension, CD)。CD可以表示特征的最小宽度，例如线，沟槽，节距，堆叠，开口，线 之间的间隔等。

随着CD的缩小，制造IC的工艺条件变得更加重要，以保持高产量。例如， 在半导体装置的处理室中，跨基板的处理均匀性对于维持高成品率至关重要。

发明内容

根据一实施例，本公开的一个方面提供了一种半导体处理设备。半导体处 理设备包括具有内部空间的腔室主体；设置在内部空间中的基板支撑台座；气 体出口构件，其位于内部空间内的基板支撑台座上方，具有多个分配喷嘴；及 气体引导装置位于气体出口构件和基板支撑台座之间。所述气体引导装置包括 多个瓣元件，所述瓣元件可枢转地围绕所述气体出口构件的分配喷嘴布置并且 彼此周向重叠，并被配置来动态地调节在基板支撑台座上的输出气体分布。

根据一实施例，本公开的一个方面提供了一种用于处理腔室内部的半导体 器件的方法。该方法包括：在腔室主体中执行蚀刻工艺；监视在蚀刻工艺中被 蚀刻的基板的特征；以及根据该特征，调节位于腔室主体内部的气体出口构件 与基板支撑台座之间的气体引导装置。气体引导装置限定了可调节的通道，该 通道具有基本上在圆周上连续的边界，从而可动态调节基板支撑台座上的输出 气体分布。

根据一实施例，本公开的一个方面提供了一种气体引导装置，其配置为布 置在具有多个分配喷嘴的气体出口构件与基板支撑台座之间。所述气体引导装 置包括：引导环，被配置为围绕分配喷嘴布置；以及多个瓣元件，以可枢转的 方式连接到引导环并且彼此周向重叠，被配置为动态地调节基板上的输出气体 分布。

附图说明

为可仔细理解本案以上记载之特征，参照实施态样可提供简述如上之本案 的更特定描述，一些实施态样系说明于随附图式中。然而，要注意的是，随附 图式仅说明本案的典型实施态样并且因此不被视为限制本案的范围，因为本案 可承认其他等效实施态样。

图1示出了根据本公开的一些实施例的半导体处理设备的截面图。

图2示出了根据本公开的一些实施例的半导体处理设备的截面图。

图3示出了根据本公开的一些实施例的气体引导装置的仰视图。

图4示出了根据本公开的一些实施例的气体引导装置的侧视图。

图5示出了根据本公开的一些实施例的气体引导装置的侧视图。

图6示出了根据本公开的一些实施例的具有在汇聚的路径中向下流动的气 体的半导体处理设备的截面图。

图7示出了根据本公开的一些实施例的用于处理半导体基板的方法的流程 图。

然而，应当注意，附图仅示出了本公开的示例性实施例，并且因此不应被 认为是对其范围的限制，因为本公开可以允许其他等效的实施例。