[发明专利]半导体处理设备

权利要求书

1.一种半导体处理设备，其特征在于，包括

腔室主体，具有内部空间；

基板支撑台座，设置在所述内部空间中；

气体出口构件，位于所述内部空间内的所述基板支撑台座上方，具有多个分配喷嘴；及

气体引导装置，位于所述气体出口构件和所述基板支撑台座之间，所述气体引导装置包括多个瓣元件，所述瓣元件可枢转地围绕所述气体出口构件的分配喷嘴布置并且彼此周向重叠，并被配置来动态地调节在基板支撑台座上的输出气体分布。

2.如权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，

所述腔室主体包括顶壁；

所述气体出口构件包括安装板，环形外壁及板体；

所述安装板安装于顶壁；

所述板体通过环形外壁耦接到安装板；

所述安装板，环形外壁和板体定义出气室；及

所述分配喷嘴形成在所述板体上，并且被配置为允许所述气室内的气体朝着所述基板支撑台座向下移动。

3.如权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，

所述气体引导装置还包括安装在所述气体出口构件上的引导环；及

所述瓣元件枢转地连接到所述引导环。

4.如权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，还包括马达，所述马达耦接至所述瓣元件中的至少一个，使得所述瓣元件可朝着或远离所述基板支撑台座的中心线地枢转，并保持周向重叠布置。

5.如权利要求4所述的半导体处理设备，其特征在于，还包括

致动器，其中，所述马达经由所述致动器耦接至所述瓣元件；

控制器，电连接至所述致动器；及

用户界面，位于所述腔室主体外部且电连接至所述控制器。

6.如权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，垂直线与所述瓣元件中的每个瓣元件之间的角度α可在0度至45度的范围内调节。

7.如权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，由所述瓣元件的尖端限定的开口的直径可在295mm至305mm的范围内调节。

8.如权利要求7所述的半导体处理设备，其特征在于，由所述瓣元件的尖端限定的开口的直径与支撑在所述基板支撑台座上的基板的直径之间的比率在95％至105％。

9.如权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述瓣元件包括金属。

10.如权利要求3所述的半导体处理设备，其特征在于，所述引导环包括金属。