[发明专利]电荷泵电路、半导体装置以及半导体存储装置

权利要求书

1.一种电荷泵电路，其特征在于，包含：

主泵电路，包含：第1节点，与第1电容器电容耦合；以及第1晶体管，连接该第1节点，可提供电压给该第1节点；当第1时钟信号施加在该第1电容器之后，可将该第1节点的电压升压；以及

控制用泵电路，连接该主泵电路；

其中，当第1节点升压之后，该控制用泵电路控制该第1晶体管的运作，使得反方向的电流不会从第1节点流经第1晶体管；

该控制用泵电路，包含：第2节点，与第2电容器电容耦合；以及第2晶体管，连接该第2节点，可提供电压给该第2节点；当第2时钟信号施加在该第2电容器之后，可将该第2节点的电压升压；

该第2节点连接该第1晶体管的栅极；该第1时钟信号上升与下降的转移期间，与该第2时钟信号上升与下降的转移期间不重复；

该第2电容器的电容比该第1电容器的电容还要小；

该主泵电路，更包含：第3节点，与第3电容器电容耦合；以及第3晶体管，连接该第3节点，可提供电压给该第3节点；当第3时钟信号施加在该第3电容器之后，可将该第3节点的电压升压；

该控制用泵电路，包含：第4节点，与第4电容器电容耦合；以及第4晶体管，连接该第4节点，可提供电压给该第4节点；当第4时钟信号施加在该第4电容器之后，可将该第4节点的电压升压；

该第4节点连接该第3晶体管的栅极；该第4电容器的电容比该第3电容器的电容还要小；该第3时钟信号为该第1时钟信号反转后的时钟信号；该第4时钟信号为该第2时钟信号反转后的时钟信号；

该主泵电路，包含：第5晶体管，位于该第1节点与输出端子之间，与该第1晶体管的导电型相异；以及第6晶体管，位于该第3节点与该输出端子之间，与该第3晶体管的导电型相异；该第1晶体管的栅极与该控制用泵电路的该第2节点连接；该第5晶体管的栅极与该控制用泵电路的该第2节点连接；该第3晶体管的栅极与该控制用泵电路的该第4节点连接；该第6晶体管的栅极与该控制用泵电路的该第4节点连接；

该控制用泵电路，包含：第7晶体管，位于该第2节点与该输出端子之间，与该第2晶体管的导电型相异；以及第8晶体管，位于该第4节点与该输出端子之间，与该第4晶体管的导电型相异；该第2晶体管的栅极与该第4节点连接；该第7晶体管的栅极与该第4节点连接；该第4晶体管的栅极与该第2节点连接；该第8晶体管的栅极与该第2节点连接。

2.如权利要求1所述的电荷泵电路，

其特征在于，该第1晶体管至该第4晶体管为NMOS晶体管；该第5晶体管至该第8晶体管为PMOS晶体管。

3.如权利要求2所述的电荷泵电路，包含多段的主泵电路以及多段的控制用泵电路；

其特征在于，该第1晶体管与前段的主泵电路的第5晶体管串联；该第3晶体管与前段的主泵电路的第6晶体管串联；

其中，该第2晶体管与前段的控制用泵电路的第7晶体管串联；该第4晶体管与前段的控制用泵电路的第8晶体管串联。

4.如权利要求1至3任一所述的电荷泵电路，

其特征在于，该主泵电路以及该控制用泵电路为KER型泵电路。

5.一种半导体装置，其特征在于，包含：

如权利要求1至3任一所述的电荷泵电路。

6.一种半导体存储装置，其特征在于，包含：

如权利要求1至3任一所述的电荷泵电路。