[发明专利]一种巨磁电阻薄膜及其制备方法

说明书

本发明公开了一种巨磁电阻薄膜，该巨磁电阻薄膜是由如下方法制备的：提供玻璃基片；利用磁控溅射法在玻璃基片上镀敷MgO层；利用磁控溅射法在MgO层上镀敷第一Ni_xFe_100‑x层，其中，70<x<80；利用磁控溅射法在第一Ni_xFe_100‑x层上镀敷Fe_xMn_100‑x层，其中，10<x<15；利用磁控溅射法在Fe_xMn_100‑x层上镀敷第二Ni_xFe_100‑x层，其中，80<x<90；利用磁控溅射法在第二Ni_xFe_100‑x层上镀敷Ni_xMn_100‑x层，其中，20<x<30；利用磁控溅射法在Ni_xMn_100‑x层上镀敷La_0.7(Ba_0.3‑xCa_x)MnO₃，其中，0.02<x<0.04。本发明的薄膜既能够具有显著磁阻效应，又能够保证薄膜具有比较令人满意的磁导率。

技术领域

本发明是关于化学领域，特别是关于一种巨磁电阻薄膜及其制备方法。

背景技术

在通有电流的金属或半导体上施加磁场时，其电阻值将发生明显变化，这种现象称为磁致电阻效应，也称磁电阻效应(MR)。

现有技术CN104538147A公开了一种各向异性磁电阻薄膜的制造方法，包括步骤：步骤一、提供一氮化硅薄膜基片并进行刻蚀预处理。步骤二、进行Ni81Fe19薄膜的成膜，成膜工艺包括多步沉积和刻蚀工艺。步骤三、进行氮化钽薄膜的成膜。步骤四、进行退火处理。

现有技术CN101710525B公开了一种超高灵敏磁电阻薄膜材料及其制备方法，涉及磁性薄膜材料。本发明设计的薄膜材料结构为：缓冲层/MgO/NiFe/MgO/保护层；然后在磁场中高温退火。该结构材料具有很高的磁场灵敏度，而且将其加工成磁传感元件同样也具有很高的磁场灵敏度。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明的目的在于提供一种巨磁电阻薄膜及其制备方法，其能够克服现有技术的缺点。

为实现上述目的，本发明提供了一种巨磁电阻薄膜，该巨磁电阻薄膜是由如下方法制备的：提供玻璃基片；利用磁控溅射法在玻璃基片上镀敷MgO层；利用磁控溅射法在MgO层上镀敷第一Ni_xFe_100-x层，其中，70<x<80；利用磁控溅射法在第一Ni_xFe_100-x层上镀敷Fe_xMn_100-x层，其中，10<x<15；利用磁控溅射法在Fe_xMn_100-x层上镀敷第二Ni_xFe_100-x层，其中，80<x<90；利用磁控溅射法在第二Ni_xFe_100-x层上镀敷Ni_xMn_100-x层，其中，20<x<30；利用磁控溅射法在Ni_xMn_100-x层上镀敷La_0.7(Ba_0.3-xCa_x)MnO₃，其中，0.02<x<0.04。