[发明专利]一种巨磁电阻薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201911131603.4 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN110808331A | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 赵明;凡广生;李领川;孙学习;刘艳丽 | 申请（专利权）人： | 郑州工程技术学院 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L43/10;C22C19/03;C22C22/00;C23C14/00;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 王志新 |
| 地址： | 450000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种巨磁电阻薄膜，其特征在于：所述巨磁电阻薄膜是由如下方法制备的：
提供玻璃基片；
利用磁控溅射法在所述玻璃基片上镀敷MgO层；
利用磁控溅射法在所述MgO层上镀敷第一NixFe100-x层，其中，70<x<80；
利用磁控溅射法在所述第一NixFe100-x层上镀敷FexMn100-x层，其中，10<x<15；
利用磁控溅射法在所述FexMn100-x层上镀敷第二NixFe100-x层，其中，80<x<90；
利用磁控溅射法在所述第二NixFe100-x层上镀敷NixMn100-x层，其中，20<x<30；
利用磁控溅射法在所述NixMn100-x层上镀敷La0.7(Ba0.3-xCax)MnO3，其中，0.02<x<0.04。
2.如权利要求1所述的巨磁电阻薄膜，其特征在于：其中，所述MgO层的厚度为20-30nm，所述利用磁控溅射法在所述玻璃基片上镀敷MgO层的具体工艺为：溅射靶材为MgO靶材，溅射电源选用脉冲电源，脉冲频率为50-100kHz，溅射功率为100-150W，溅射电压为100-200V，氩气流量为50-70sccm，基片温度为150-200℃。
3.如权利要求2所述的巨磁电阻薄膜，其特征在于：其中，所述第一NixFe100-x层厚度为30-40nm，所述利用磁控溅射法在所述MgO层上镀敷第一NixFe100-x层具体工艺为：溅射靶材为NixFe100-x靶材，其中，70<x<80，溅射电源选用脉冲电源，脉冲频率为60-80kHz，溅射功率为300-400W，溅射电压为100-200V，氩气流量为55-75sccm，基片温度为150-200℃。
4.如权利要求3所述的巨磁电阻薄膜，其特征在于：其中，所述FexMn100-x层厚度为10-20nm，所述利用磁控溅射法在所述第一NixFe100-x层上镀敷FexMn100-x层具体工艺为：溅射靶材为FexMn100-x靶材，其中，10<x<15，溅射电源选用脉冲电源，脉冲频率为80-120kHz，溅射功率为300-400W，溅射电压为300-400V，氩气流量为65-80sccm，基片温度为250-350℃。
5.如权利要求4所述的巨磁电阻薄膜，其特征在于：其中，所述第二NixFe100-x层厚度为25-35nm，所述利用磁控溅射法在所述FexMn100-x层上镀敷第二NixFe100-x层具体工艺为：溅射靶材为NixFe100-x靶材，其中，80<x<90，溅射电源选用脉冲电源，脉冲频率为100-130kHz，溅射功率为200-250W，溅射电压为100-200V，氩气流量为65-80sccm，基片温度为200-300℃。
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