[发明专利]片状粘合材料的切断方法和片状粘合材料的切断装置在审
申请号: | 201911129909.6 | 申请日: | 2019-11-18 |
公开(公告)号: | CN111383985A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 石井直树;村山聪洋 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社;日东精机株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 片状 粘合 材料 切断 方法 装置 | ||
1.一种片状粘合材料的切断方法,其是从片状粘合材料切下预定形状的粘合材料片的片状粘合材料的切断方法,
该片状粘合材料的切断方法的特征在于,具有:
切断过程,在该过程中,将切断机构向所述片状粘合材料按压,将所述片状粘合材料呈环状切断来形成所述粘合材料片,其中,该切断机构是将切断刀与所述粘合材料片的形状相应地呈环状配设于支承构件的平坦的面而成的;以及
分离过程,在该过程中,使所述粘合材料片从所述片状粘合材料的除了所述粘合材料片之外的部分分离。
2.根据权利要求1所述的片状粘合材料的切断方法,其特征在于,
该片状粘合材料的切断方法具有调整所述片状粘合材料的张力的张力调整过程,
在所述切断过程中,将通过所述张力调整过程调整了张力的所述片状粘合材料切断。
3.根据权利要求2所述的片状粘合材料的切断方法,其特征在于,
在所述张力调整过程中,通过针对所述片状粘合材料的长边方向赋予预定的张力来调整所述片状粘合材料的张力。
4.根据权利要求2所述的片状粘合材料的切断方法,其特征在于,
在所述张力调整过程中,通过在把持所述片状粘合材料的宽度方向的两侧部位的把持机构把持着所述片状粘合材料的状态下,移动所述把持机构使所述片状粘合材料的被所述把持机构把持的宽度方向的两侧部位彼此远离,从而调整所述片状粘合材料的张力。
5.根据权利要求2所述的片状粘合材料的切断方法,其特征在于,
在所述张力调整过程中,通过使保持构件向相对于所述片状粘合材料的面垂直的方向移动来调整所述片状粘合材料的张力,其中,该保持构件保持所述片状粘合材料中的、成为由所述切断机构进行切断的对象的部分。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的片状粘合材料的切断方法,其特征在于,
在所述切断过程中,利用过度切断防止构件来防止所述切断机构过度地按压所述片状粘合材料。
7.根据权利要求1~5中任一项所述的片状粘合材料的切断方法,其特征在于,
在所述切断过程中,
使在第1区域中切断所述片状粘合材料的深度比在第2区域中切断所述片状粘合材料的深度深,该第1区域是所述片状粘合材料被切断的轨迹中的至少包含分离开始部位的局部的区域,该第2区域是所述轨迹中的除了所述第1区域之外的区域。
8.根据权利要求1~5中任一项所述的片状粘合材料的切断方法,其特征在于,
所述切断机构具有多个所述切断刀,
在所述切断过程中,通过多个所述切断刀切断所述片状粘合材料来形成多个所述粘合材料片。
9.根据权利要求1~5中任一项所述的片状粘合材料的切断方法,其特征在于,
在所述切断机构中,所述切断刀和所述支承构件由单一的材料形成。
10.一种片状粘合材料的切断装置,其是从片状粘合材料切下预定形状的粘合材料片的片状粘合材料的切断装置,
该片状粘合材料的切断装置的特征在于,具有:
切断机构,其具有与所述粘合材料片的形状相应地呈环状配设于支承构件的平坦的面的切断刀,将所述切断刀向所述片状粘合材料按压,将所述片状粘合材料呈环状切断来形成所述粘合材料片;以及
分离机构,其使所述粘合材料片从所述片状粘合材料的除了所述粘合材料片之外的部分分离。
11.根据权利要求10所述的片状粘合材料的切断装置,其特征在于,
该片状粘合材料的切断装置具有调整所述片状粘合材料的张力的张力调整机构,
所述切断机构将通过所述张力调整机构调整了张力的所述片状粘合材料切断。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社;日东精机株式会社,未经日东电工株式会社;日东精机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造