[发明专利]激光晶化装置的监控系统

说明书

根据本发明一实施例的一种激光晶化装置的监控系统包括：工作台，用于支撑基板；激光生成部，向所述基板提供激光束；散射光束检测部，检测出在所述基板上被散射的所述激光束的散射光束；及，控制部，接收并存储被检测出的所述散射光束的强度相关的数据，基于此来修正所述激光生成部的所述激光束的强度。

技术领域

本发明涉及一种激光晶化装置的监控系统，尤其是涉及一种用于制造提升质量的多晶硅薄膜的激光晶化装置的监控系统。

背景技术

近来，借助于技术的发展，出现了小型、轻量且性能更加优越的显示器产品。到目前为止的显示装置中，现有的显像管电视(cathode ray tube:CRT)在性能或价格方面具有较多的优点并被广泛使用，但在小型化或便携性方面克服了CRT的缺点，具有小型化、轻量化及低电耗等优点的显示装置，例如等离子显示装置、液晶显示装置及有机发光显示装置等备受关注。

上述显示装置包括薄膜晶体管，上述薄膜晶体管(thin film transistor)是在绝缘性支撑基板上利用半导体薄膜制作的特殊种类的电场效应晶体管(field effecttransistor)。上述薄膜晶体管是与电场效应晶体管相同地具备栅极、漏极、源极三个端子的元件，最主要的功能是开关动作。上述薄膜晶体管也可以用于传感器、存储元件、光元件等，但主要作为上述显示装置的像素开关元件或驱动元件使用。

由于上述显示装置的大型化及高清化趋势，随之对元件也要求高性能，因此，需要开发出相比于电子迁移率为0.5～1cm² Vs水准的非晶硅薄膜晶体管，具有更高的迁移率的高性能薄膜晶体管的制造技术。多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)相比于现有的非晶硅薄膜晶体管具有显著优越的性能。多晶硅薄膜晶体管具有数十cm²/Vs至数百cm²/Vs的迁移率。因此，可以将要求较高迁移率的数据驱动电路或周边电路等内设于基板内，可以较小地制作晶体管的沟道而增大画面的开口率。并且，由于内设驱动电路，因此不存在随着像素的增加而用于连接驱动电路的布线间距(Wiring pitch)的局限，从而具有可以实现高分辨率、可降低驱动电压及耗电量、元件特性劣化的问题较少的优点。

为了制作上述多晶硅薄膜晶体管，正研究着将非结晶的硅进行结晶而制作多晶硅的准分子激光(ELC)晶化技术等。但是，这种多晶硅的结晶度很难用肉眼观察到，其许可误差范围受限制，因此，需要用于均匀地维持多晶硅的结晶度的各种方法及装置。

发明内容

本发明要解决的技术问题着眼于这样的点，本发明目的在于提供一种用于形成品质提升的多晶硅薄膜的激光晶化装置的监控系统。

本发明的另一目的在于提供一种利用上述激光晶化装置的监控系统的激光晶化方法。

用于达到上述本发明的目的的一实施例的激光晶化装置的监控系统包括：工作台，用于支撑基板；激光生成部，向所述基板提供激光束；散射光束检测部，检测在所述基板上被散射的所述激光束的散射光束；及，控制部，接收并存储被检测的所述散射光束的强度相关的数据，基于所述数据来修正所述激光生成部提供的所述激光束的强度。

在本发明一实施例中，所述基板上形成有非晶硅薄膜，所述非晶硅薄膜被所述激光束晶化而形成多晶硅薄膜。

在本发明一实施例中，所述控制部基于被存储的所述数据来修正作为所述激光束的强度的激光能量，或生成调整用于形成所述激光束的光学系统的反馈信息，并提供给所述激光生成部或所述光学系统。

在本发明一实施例中，所述控制部基于被存储的所述数据，来判断对作业中的所述基板的晶化程度是否合适，基于此向所述工作台提供所述基板的返工(rework)与否相关的返工信息。

在本发明一实施例中，所述激光束以具有入射角(a1)的形式入射至所述基板上，并射出具有反射角(a2)的反射光束及具有散射角(a3)的散射光束。所述散射光束的所述散射角可以大于所述反射角。