[发明专利]用于制造半导体布置的方法

说明书

一种用于制造半导体布置的方法包括执行半导体结构的第一蚀刻以暴露与半导体结构相邻的第一层的侧壁的第一部分。第一蚀刻在第一层的侧壁的第一部分上形成第一保护层，并且第一保护层由副产物材料的第一累积形成，该副产物材料由第一蚀刻的蚀刻剂与半导体结构相互作用而形成。该方法包括执行第一闪蒸以去除第一保护层的至少一些。

技术领域

本发明的实施例涉及用于制造半导体布置的方法。

背景技术

在半导体制造期间，不同的技术用于去除在制造半导体布置中使用的层或层的一部分。去除层或层的一部分的一种技术是蚀刻。蚀刻是将蚀刻剂(诸如化学品)施加到要去除的层或层的一部分的工艺。通常去除该层或该层的一部分以暴露下面的层或部件，或在该层中限定特定图案。施加了蚀刻剂的层或层的一部分相对于蚀刻剂具有特定的蚀刻选择性，使得该层或层的一部分被蚀刻剂去除或蚀刻掉。该层的其他未被去除的部分通常由光刻胶或硬掩模覆盖，该光刻胶或硬掩模对蚀刻剂不敏感或在较小程度上对蚀刻剂敏感。因此，通过光刻胶或硬掩模保护了层中未被去除的部分免受蚀刻剂的影响。一旦蚀刻掉该层或该层的一部分，就去除光刻胶或硬掩模以露出图案化的层或该层的未被蚀刻剂蚀刻掉的剩余部分。

发明内容

本发明的实施例提供了一种用于制造半导体布置的方法，包括：执行半导体结构的第一蚀刻以暴露与所述半导体结构相邻的第一层的侧壁的第一部分，其中：所述第一蚀刻在所述第一层的侧壁的所述第一部分上形成第一保护层，并且所述第一保护层由所述第一蚀刻的蚀刻剂与所述半导体结构相互作用而形成的副产物材料的第一累积形成；以及执行第一闪蒸以去除所述第一保护层的至少一些。

本发明的另一实施例提供了一种用于制造半导体布置的方法，包括：执行半导体结构的第一蚀刻以暴露与所述半导体结构相邻的第一层的侧壁的第一部分，其中，执行所述第一蚀刻包括：将所述半导体结构暴露于第一蚀刻剂以去除包括硅锗层、硅层、氧化物层、碳氮化硅层或氮化硅层中的至少一个的材料的堆叠件；以及在所述第一层的侧壁的所述第一部分上形成第一保护层。

本发明的又一实施例提供了一种用于制造半导体布置的方法，包括：在第一层中形成第一凹槽以暴露所述第一层下方的第一半导体结构；通过去除所述第一半导体结构的至少一些而在所述第一层中形成第二凹槽，其中，限定所述第二凹槽的所述第一层的上表面位于与所述第一半导体结构相邻的第二半导体结构的最上表面之上。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至图10示出了根据一些实施例的处于制造的各个阶段的半导体布置。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征不同的实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实施例或实例以简化本发明。当然这些仅是实例而不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明在各个示例中可以重复参考数字和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上面”、“上部”等的空间关系术语，以描述如图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间关系术语旨在包括器件在使用或操作工艺中的不同方位。装置可以以其它方式定位(旋转90度或在其它方位)，并且在本文中使用的空间关系描述符可以同样地作相应地解释。