[发明专利]用于制造半导体布置的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体布置的方法，包括：

执行半导体结构的第一蚀刻以暴露与所述半导体结构相邻的第一层的侧壁的第一部分，其中：

其中，所述第一层的材料成分不同于所述半导体结构的材料成分，

所述第一蚀刻在所述第一层的所述侧壁的所述第一部分上形成第一保护层，并且

所述第一保护层由副产物材料的第一累积形成，所述副产物材料由所述第一蚀刻的蚀刻剂形成，所述第一蚀刻的蚀刻剂与所述半导体结构相互作用；以及

执行第一闪蒸以去除所述第一保护层的至少一些，

其中，所述第一保护层抑制来自所述第一蚀刻的蚀刻工艺副产物累积在所述第一部分上。

2.根据权利要求1所述的方法，包括：

在所述第一闪蒸之后，执行所述半导体结构的第二蚀刻以暴露所述第一层的所述侧壁的第二部分，其中：

所述第二蚀刻在所述第一层的所述侧壁的所述第一部分上和所述第一层的所述侧壁的所述第二部分上形成第二保护层，并且

所述第二保护层由副产物材料的第二累积形成，用于所述第二累积的副产物材料由所述第二蚀刻的第二蚀刻剂形成，所述第二蚀刻剂与所述半导体结构相互作用。

3.根据权利要求2所述的方法，包括：

执行第二闪蒸以去除所述第二保护层的至少一些。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述第一闪蒸包括使用等离子体。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述第一闪蒸包括使用氧气、氮气或二氧化硫中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述第一蚀刻包括向所述半导体布置施加电偏压。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述电偏压大于或等于1000伏。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一保护层包括SiO_xF_y或SiO_xCl_y中的至少一种，其中x是正整数，并且y是正整数。

9.根据权利要求1所述的方法，包括：

在所述第一闪蒸之后执行化学机械抛光(CMP)以去除残余量的所述第一保护层。

10.一种用于制造半导体布置的方法，包括：

执行半导体结构的第一蚀刻以暴露与所述半导体结构相邻的第一层的侧壁的第一部分，其中，执行所述第一蚀刻包括：

将所述半导体结构暴露于第一蚀刻剂以去除包括硅锗层、硅层、氧化物层、碳氮化硅层或氮化硅层中的至少一个的材料的堆叠件；以及

在所述第一层的所述侧壁的所述第一部分上形成第一保护层，

其中，第一保护层由副产物材料的第一累积形成，所述副产物材料由所述第一蚀刻剂形成，所述第一蚀刻剂与所述半导体结构相互作用，

其中，所述第一保护层抑制来自所述第一蚀刻的蚀刻工艺副产物累积在所述第一部分上。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一保护层抑制所述第一蚀刻剂对所述第一层的去除。

12.根据权利要求10所述的方法，包括：

执行第一闪蒸以去除所述第一保护层的至少一些。

13.根据权利要求12所述的方法，包括：

在所述第一闪蒸之后，执行所述半导体结构的第二蚀刻以暴露所述第一层的所述侧壁的第二部分，其中，所述第二蚀刻在所述第一层的所述侧壁的所述第一部分上和所述第一层的所述侧壁的所述第二部分上形成第二保护层。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一蚀刻剂包括SiCl₄或O₂中的至少一种。