[发明专利]电子材料用填料和其制造方法、树脂组合物的制造方法、高频用基板以及电子材料用浆料

权利要求书

1.一种电子材料用填料的制造方法，具有如下工序：

制备工序，制备利用干式法制造的二氧化硅粒子材料，以及

第1表面处理工序，利用具有乙烯基、苯基、苯基氨基、碳原子数4以上的烷基、甲基丙烯酸基或环氧基的硅烷化合物对所述二氧化硅粒子材料进行表面处理而制成第1表面处理过的粒子材料；

所述二氧化硅粒子材料在利用干式法被制造后，不与液态的水接触，且粒径为100nm～2000nm或者比表面积为2m²/g～35m²/g，

具有第2表面处理工序，利用有机硅氮烷对所述第1表面处理过的粒子材料进行表面处理而制成第2表面处理过的粒子材料，

所述第2表面处理工序中使用的所述有机硅氮烷的量为残留于所述第1表面处理过的粒子材料的表面的能够与所述有机硅氮烷反应的官能团的量以上且在表面实质上不残留OH基的量。

2.一种电子材料用填料的制造方法，具有如下工序：

制备工序，制备利用干式法制造的二氧化硅粒子材料，以及

第1表面处理工序，利用具有乙烯基、苯基、苯基氨基、碳原子数4以上的烷基、甲基丙烯酸基或环氧基的硅烷化合物对所述二氧化硅粒子材料进行表面处理而制成第1表面处理过的粒子材料；

所述二氧化硅粒子材料在利用干式法被制造后，不与液态的水接触，且粒径为100nm～2000nm或者比表面积为2m²/g～35m²/g，

所述制备工序包括在利用干式法制造二氧化硅后，以在200℃加热时生成的水分量在每1m²表面积成为40ppm以下的方式进行加热干燥的干燥工序。

3.一种电子材料用填料的制造方法，具有如下工序：

二氧化硅粒子材料制造工序，利用干式法制造二氧化硅粒子材料，以及，

干燥工序，以在200℃加热时生成的水分量在每1m²表面积成为40ppm以下的方式进行加热干燥而得到干燥二氧化硅粒子材料；

所述二氧化硅粒子材料在利用干式法被制造后，不与液态的水接触，且粒径为100nm～2000nm或者比表面积为2m²/g～35m²/g。

4.根据权利要求2所述的电子材料用填料的制造方法，其中，所述干燥工序是以在500℃加热时生成的水分量在每1m²表面积成为70ppm以下的方式进行加热干燥的工序。

5.根据权利要求3所述的电子材料用填料的制造方法，其中，所述干燥工序是以在500℃加热时生成的水分量在每1m²表面积成为70ppm以下的方式进行加热干燥的工序。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的电子材料用填料的制造方法，其中，所述二氧化硅粒子材料的粒径为600nm以下，比表面积为5m²/g以上。

7.一种电子材料用树脂组合物的制造方法，具有如下工序：

利用权利要求1～6中任一项所述的电子材料用填料的制造方法制造电子材料用填料的工序，以及

使所述电子材料用填料在不与液态的水接触的情况下混合、分散在树脂材料中的混合分散工序。

8.根据权利要求7所述的电子材料用树脂组合物的制造方法，其中，所述树脂材料的水分的含量为1000ppm以下。

9.一种电子材料用填料，是如下二氧化硅粒子材料：

粒径为100nm～2000nm或者比表面积为2m²/g～35m²/g，在200℃加热时生成的水分量在每1m²表面积为40ppm以下，利用具有乙烯基、苯基、苯基氨基、碳原子数4以上的烷基、甲基丙烯酸基或环氧基的硅烷化合物进行了表面处理。