[发明专利]晶圆、晶圆检测系统与晶圆检测方法有效
申请号: | 201911125842.9 | 申请日: | 2019-11-18 |
公开(公告)号: | CN110943002B | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 吴俊德;赖彦霖;陈佶亨 | 申请(专利权)人: | 錼创显示科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/26 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵晓荣 |
地址: | 中国台湾苗栗*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 检测 系统 方法 | ||
本申请提供一种晶圆、晶圆检测系统与晶圆检测方法,所述晶圆检测系统包含发光模块、收光模块以及处理模块。发光模块提供入射光至晶圆。收光模块用以接收晶圆的光线,以产生关联于晶圆的晶圆表面影像。处理模块耦接收光模块,用以判断晶圆表面影像是否对称,据以产生关联于晶圆的合格信号。
技术领域
本申请是有关于一种半导体结构、检测方法与检测系统,特别是关于一种晶圆、非接触式的晶圆检测方法与晶圆检测系统。
背景技术
一般来说,微型发光二极管(micro LED)于制作的过程中,需要进行各种测试与检测,以判断微型发光二极管的品质。举例来说,磊晶完成后的检测程序可能包含了利用探针去接触微型发光二极管的电极,接着由探针提供电流以测试微型发光二极管的是否可以正常发光。然而,由于晶圆中的微型发光二极管数量非常多,不论是逐一检查晶圆中的每个微型发光二极管,或抽样检查晶圆中的部分微型发光二极管,都需要耗费相当的时间。此外,因为微型发光二极管的尺寸是微米等级,当用探针接触微型发光二极管的电极时,也很容易造成微型发光二极管意外损坏。
因此,业界需要一种新的检测方法与系统,能够在磊晶晶圆制造成微型发光二极管前,快速地先判断整个晶圆在磊晶过程的质量,从而调整后续微型发光二极管的制程,能够提高后续检测时微型发光二极管的检测效率。
发明内容
有鉴于此,本申请提出一种晶圆检测方法,可以利用晶圆表面的影像直接判断晶圆在磊晶过程的质量,从而可以加快检测晶圆的速度,也可以避免后续检测时的微型发光二极管受到损坏。
本申请提供一种晶圆检测方法,所述晶圆检测方法包含下列步骤。首先,提供入射光至晶圆。接着,产生关联于晶圆的晶圆表面影像。并且,判断晶圆表面影像是否包含对称的多个第一条纹与多个第二条纹。当晶圆表面影像包含对称的所述多个第一条纹与所述多个第二条纹,提供关联于晶圆的合格信号。
于一些实施例中,对称的第一条纹与第二条纹,可以指第一条纹与第二条纹对称于晶圆表面影像的中心。在此,距离晶圆表面影像的中心第一距离可以定义有第一圆周,对称的第一条纹与第二条纹,可以指第一条纹与第二条纹于第一圆周上有规律地排列。此外,第一条纹可以分别自晶圆表面影像的中心延伸至第一圆周。另外,对称的第一条纹与第二条纹,也可以指第一条纹与第二条纹对称于通过晶圆表面影像的中心的直线。并且,晶圆表面影像中的第一条纹,可以指示从晶圆对应位置接收到的第一光线对应第一量测范围,且晶圆表面影像中的第二条纹,可以指示从晶圆对应位置接收到的第二光线对应第二量测范围,第一量测范围与第二量测范围不重叠。例如,第一量测范围和第二量测范围可以是为半高宽,第一量测范围可以小于第二量测范围,第一量测范围与第二量测范围的比值可以小于1且大于等于0.5。
本申请提供了一种晶圆检测系统,可以接收晶圆的光线,并且利用晶圆表面的影像直接判断晶圆在磊晶过程的质量,可以加快检测晶圆的速度,从而调整后续微型发光二极管的制程,能够提高后续检测时微型发光二极管的检测效率。
本申请提供一种晶圆检测系统,包含发光模块、收光模块以及处理模块。发光模块提供入射光至晶圆。收光模块用以接收晶圆的光线,以产生关联于晶圆的晶圆表面影像。处理模块耦接收光模块,用以判断晶圆表面影像是否对称,据以产生关联于晶圆的合格信号。当晶圆表面影像中具有对称的多个第一条纹与多个第二条纹时,则处理模块产生合格信号。
于一些实施例中,第一条纹与第二条纹可以对称于晶圆表面影像的中心,且第一条纹与第二条纹可以分别自晶圆表面影像的中心向外辐射状延伸。此外,对称的第一条纹与第二条纹,也可以指第一条纹与第二条纹对称于通过晶圆表面影像的中心的直线。另外,晶圆表面影像中的第一条纹,可以指示于晶圆对应位置测得的光线对应第一量测范围,且晶圆表面影像中的第二条纹,可以指示于晶圆对应位置测得的光线对应第二量测范围。例如,第一量测范围和第二量测范围可以是为半高宽,第一量测范围可以小于第二量测范围,第一量测范围与第二量测范围的比值可以小于1且大于等于0.5。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造