[发明专利]晶圆、晶圆检测系统与晶圆检测方法有效
申请号: | 201911125842.9 | 申请日: | 2019-11-18 |
公开(公告)号: | CN110943002B | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 吴俊德;赖彦霖;陈佶亨 | 申请(专利权)人: | 錼创显示科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/26 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵晓荣 |
地址: | 中国台湾苗栗*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 检测 系统 方法 | ||
1.一种晶圆检测方法,其特征在于,所述晶圆检测方法包含:
提供一入射光至该晶圆;
产生关联于该晶圆的一晶圆表面影像;
判断该晶圆表面影像是否包含对称的多个第一条纹与多个第二条纹;以及
当该晶圆表面影像包含对称的该些第一条纹与该些第二条纹,提供关联于该晶圆的一合格信号;
对称的该些第一条纹与该些第二条纹,是指该些第一条纹与该些第二条纹对称于通过该晶圆表面影像的中心的一直线。
2.如权利要求1所述的晶圆检测方法,其特征在于,距离该晶圆表面影像的中心一第一距离定义有一第一圆周,对称的该些第一条纹与该些第二条纹,是指该些第一条纹与该些第二条纹于该第一圆周上有规律地排列。
3.如权利要求2所述的晶圆检测方法,其特征在于,该些第一条纹分别自该晶圆表面影像的中心延伸至该第一圆周。
4.如权利要求1所述的晶圆检测方法,其特征在于,该晶圆表面影像中的该些第一条纹,是指从该晶圆对应位置接收到的一第一光线对应一第一量测范围,且该晶圆表面影像中的该些第二条纹,是指从该晶圆对应位置接收到的一第二光线对应一第二量测范围,该第一量测范围与该第二量测范围不重叠。
5.如权利要求4所述的晶圆检测方法,其特征在于,该第一量测范围和该第二量测范围为半高宽范围,该第一量测范围小于该第二量测范围,且该第一量测范围与该第二量测范围的比值小于1且大于等于0.5。
6.一种晶圆检测系统,其特征在于,包含:
一发光模块,提供一入射光至一晶圆;
一收光模块,用以接收该晶圆的光线,以产生关联于该晶圆的一晶圆表面影像;以及
一处理模块,耦接该收光模块,用以判断该晶圆表面影像是否对称,据以产生关联于该晶圆的一合格信号,其中当该晶圆表面影像中具有对称的多个第一条纹与多个第二条纹时,则该处理模块产生该合格信号;
对称的该些第一条纹与该些第二条纹,是指该些第一条纹与该些第二条纹对称于通过该晶圆表面影像的中心的一直线。
7.如权利要求6所述的晶圆检测系统,其特征在于,该些第一条纹与该些第二条纹分别自该晶圆表面影像的中心向外辐射状延伸。
8.如权利要求6所述的晶圆检测系统,其特征在于,该晶圆表面影像中的该些第一条纹,是指该收光模块于该晶圆的对应位置,测得的光线对应一第一量测范围,且该晶圆表面影像中的该些第二条纹,是指该收光模块于该晶圆的对应位置,测得的光线对应一第二量测范围。
9.如权利要求8所述的晶圆检测系统,其特征在于,该第一量测范围和该第二量测范围为半高宽范围,该第一量测范围小于该第二量测范围,且该第一量测范围与该第二量测范围的比值小于1且大于等于0.5 。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造