[发明专利]图像传感器

说明书

提供一种图像传感器，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一导电类型；光电转换区域，所述光电转换区域在所述半导体衬底中并且具有第二导电类型；氧化物半导体图案，所述氧化物半导体图案与所述半导体衬底的第一表面相邻；以及传输门，所述传输门在所述第一表面上并且与所述光电转换区域和所述氧化物半导体图案相邻。

技术领域

本公开涉及图像传感器，更具体地，涉及包括氧化物半导体图案的图像传感器。

背景技术

图像传感器是将光图像转换成电信号的半导体器件。图像传感器可以分为电荷耦合器件(CCD)类型和互补金属氧化物半导体(CMOS)类型。将CMOS类型的图像传感器缩写为CIS(CMOS图像传感器)。CIS具有多个二维布置的像素。每一个像素包括光电二极管。光电二极管用于将入射光转换成电信号。

发明内容

一个方面是提供一种图像传感器，其具有改善的集成度并能够执行全局快门操作。

方面不限于以上提及的目的，并且根据以下描述，本领域技术人员将清楚地理解以上未提及的其他方面。

根据一些示例实施例的一方面，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一导电类型；光电转换区域，所述光电转换区域在所述半导体衬底中并具有第二导电类型；氧化物半导体图案，所述氧化物半导体图案与所述半导体衬底的第一表面相邻；以及传输门，所述传输门在所述第一表面上并且与所述光电转换区域和所述氧化物半导体图案相邻。

根据一些示例实施例的另一方面，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与所述第一表面面对的第二表面；第一器件隔离图案，所述第一器件隔离图案在所述第一表面和所述第二表面之间，所述第一器件隔离图案限定像素；氧化物半导体图案，所述氧化物半导体图案在所述像素中并且与所述第一表面相邻；以及传输门，所述传输门在所述氧化物半导体图案和所述第一器件隔离图案之间。

根据一些示例实施例的另一方面，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面；光电转换区域，所述光电转换区域在所述半导体衬底中；氧化物半导体图案，所述氧化物半导体图案在凹部中，所述凹部从所述第一表面向所述第二表面凹进；以及传输门，所述传输门在所述第一表面上并且与所述氧化物半导体图案相邻。

根据一些示例实施例的另一方面，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面；光电转换区域，所述光电转换区域在所述半导体衬底中；铟-镓-锌氧化物(IGZO)半导体图案，所述IGZO半导体图案在所述半导体衬底中，所述IGZO半导体图案的顶表面与所述第一表面共面，并且所述IGZO半导体图案与所述光电转换区域间隔开以形成部分地限定沟道区域的第一空间；传输门，所述传输门在所述第一表面上，其中所述IGZO半导体图案通过所述沟道区域从所述光电转换区域接收电荷。

附图说明

图1示出了根据一些示例实施例的图像传感器的框图；

图2示出了根据一些示例实施例的图像传感器的有源像素传感器阵列的电路图；

图3示出了根据一些示例实施例的图像传感器的平面图；

图4A和4B分别示出了沿图3的线I-I′和II-II′截取的横截面图；

图5A示出了图4A中所示的部分AA的放大图。

图5B、图5C和图5D示出了与图4A的部分AA对应的横截面图，其图示了根据一些示例实施例的图像传感器；

图6示出了沿图3的线I-I′截取的横截面图，其图示了根据一些示例实施例的图像传感器；

图7A、图7B和图7C示出了图6中所示的部分BB的放大图。